原型号
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Microchip Technology
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原型号
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onsemi
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- 93AA76CT-I/SNMicrochip Technology相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选XC6505B761MR-G
Torex Semiconductor Ltd
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- XC6505A761MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
原型号
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Torex Semiconductor Ltd
- XD6216B761MR-QTorex Semiconductor Ltd参数相近
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
FDMA7632
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 9 A，采用 MicroFET-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETFDMA7670
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 11 A，采用 MicroFET-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETFDMA7672
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 9 A，采用 MicroFET-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETFDMA7672
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 9 A，采用 MicroFET-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsHUFA76407DK8T-F085
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 2 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 3.5 A，采用 SO-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETHUFA76407DK8T-F085
onsemi
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 2 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 3.5 A，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsHUFA76409D3ST
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V，采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETHUFA76419D3ST
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V，采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETHUFA76429D3
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V，采用 TO-251-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETHUFA76429D3ST-F085
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 20 A，采用 TO-252-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET