原型号
查看详情 · 2 条候选IDT71V3557SA75BQG
Renesas Electronics Corporation
- 71V3556SA166BQGIRenesas Electronics Corporation相似型号
搜索结果
原厂资料
6 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| PT7A7514WEX-2017 | Diodes Incorporated |
| 2025-06-16 | 查看资料 |
| NVG800A75L4DSB | onsemi |
| 2023-03-30 | 查看资料 |
| NVG800A75L4DSC | onsemi |
| 2023-03-30 | 查看资料 |
| PT7A7514WE | Diodes Incorporated |
| 2023-01-31 | 查看资料 |
| HUFA75307T3ST | onsemi |
| 2021-12-20 | 查看资料 |
| HUFA75639S3ST | onsemi |
| 2019-07-16 | 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 1 条候选IDT71V3577SA75BQI8
Renesas Electronics Corporation
- IS64LF12836EC-7.5B3LA3-TRISSI, Integrated Silicon Solution Inc相似型号
原型号
查看详情 · 3 条候选IXD3263A755MR-G
Zilog
- IXD3263B755MR-GZilog参数相近
原型号
查看详情 · 3 条候选IXD3263B755MR-G
Zilog
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- IXD3263A755MR-GZilog参数相近
原型号
查看详情 · 3 条候选IXD3264B75DER-G
Zilog
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- IXD3263A75DER-GZilog参数相近
原型号
查看详情 · 1 条候选PT7A7533WE
Diodes Incorporated
- STM708TAM6FSTMicroelectronics直接替代候选
原型号
查看详情 · 3 条候选SYA75603ATWL-TRVAO
Microchip Technology
- SY75603ATWL-TRMicrochip Technology参数相近
原型号
查看详情 · 1 条候选SYA75608TWL-TRVAO
Microchip Technology
- SY75608TWL-TRMicrochip Technology参数相近
原型号
查看详情 · 1 条候选TDA7560
STMicroelectronics
- E-TDA7560STMicroelectronics直接替代候选
原型号
查看详情 · 19 条候选XC6121A750MR-G
Torex Semiconductor Ltd
- XC6121C750MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
IMZA75R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 60 A、漏源导通电阻（Rds On） 36 mOhms，采用 TO-247-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsIMZA75R040M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 44 A、漏源导通电阻（Rds On） 52 mOhms，采用 TO-247-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsIMZA75R060M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 32 A、漏源导通电阻（Rds On） 78 mOhms，采用 TO-247-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsIMZA75R090M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 23 A、漏源导通电阻（Rds On） 117 mOhms，采用 TO-247-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsIMZA75R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 16 A、漏源导通电阻（Rds On） 182 mOhms，采用 TO-247-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsINA750AIREMR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、每通道输出电流 35 A、放大器类型 Current Sense Amplifier、输入类型 Analog，采用 VQFN-14 封装。
半导体 > Amplifier ICs > Current Sense AmplifiersINA750BIREMR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、技术 Si、放大器类型 Current Sense Amplifier、输出类型 Analog，采用 VQFN-14 封装。
半导体 > Amplifier ICs > Current Sense AmplifiersINA751AIREMR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、每通道输出电流 35 A、放大器类型 Current Sense Amplifier、输入类型 Analog，采用 VQFN-14 封装。
半导体 > Amplifier ICs > Current Sense AmplifiersIXD3263A755ER-G
ZiLOG
该型号为开关稳压器。
半导体 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Voltage RegulatorsIXD3263A755MR-G
ZiLOG
该型号为开关稳压器。
半导体 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Voltage Regulators