原型号
查看详情 · 1 条候选7133SA70J8
Renesas Electronics Corporation
- 7133LA20JG8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
搜索结果
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 2 条候选ALD1703PAL
Advanced Linear Devices Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- OPA705PATexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选CAT6241-ADJHU2MUTAG
onsemi
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- TPS7A7002DDARTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 11 条候选LM4819MX/NOPB
Texas Instruments
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- TPA701DTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 12 条候选LM4900M/NOPB
Texas Instruments
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- TPA701DTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 8 条候选LT1800CS5#TRM
Analog Devices Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- OPA703NA/250Texas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 8 条候选LT1800IS5#TR
Analog Devices Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- OPA703NA/250Texas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 28 条候选MC34119D
NXP USA Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- TPA701DTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 44 条候选OPA704NA/250G4
Texas Instruments
- OPA704NA/250Texas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号
查看详情 · 1 条候选SLA7075MR
Sanken Electric USA Inc.
- SLA7075MPRTSanken Electric USA Inc.第三方标注：厂商推荐
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
CMX90A702QHR710
CML Micro
主要参数包括工作电源电压 4 V、工作频率 26.5～29.5 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 109 mA、增益 22.5 dB，采用 VQFN-20 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierCMX90A705A6-R701
CML Micro
主要参数包括工作电源电压 27.5 V、工作频率 27.5～31 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifiers、增益 17 dB、输出三阶截点（OIP3） 42 dBm，采用 AQFN-12 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierCMX90A705A6-R705
CML Micro
主要参数包括工作电源电压 27.5 V、工作频率 27.5～31 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifiers、增益 17 dB、输出三阶截点（OIP3） 42 dBm，采用 AQFN-12 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierDSA70C100HB
IXYS
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 35 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersDSA70C100HB
Littelfuse
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Dual Anode Common Cathode、正向电流（If） 35 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 740 mV，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersDSA70C150HB
IXYS
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 35 A、重复反向电压（Vrrm） 150 V，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersDSA70C150HB
Littelfuse
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Dual Anode Common Cathode、正向电流（If） 35 A、重复反向电压（Vrrm） 150 V、正向电压（Vf） 770 mV，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersDSA70C200HB
IXYS
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 70 A、重复反向电压（Vrrm） 200 V、正向电压（Vf） 1.07 V、正向浪涌电流（Ifsm） 550 A，采用 TO-247AD 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersDSA70C200HB
Littelfuse
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Dual Anode Common Cathode、正向电流（If） 70 A、重复反向电压（Vrrm） 200 V、正向电压（Vf） 1.07 V，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersFDA70N20
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 200 V、连续漏极电流（Id） 70 A，采用 TO-3PN-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET