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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

36 个原型号

原型号

AD8615AUJZ-REEL

Analog Devices Inc.

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OPA365AQDBVRQ1Texas Instruments相似型号

原型号

EL5360IUZ-T7

Renesas Electronics Corporation

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OPA3691IDBQRTexas Instruments相似型号

原型号

MAX4165EUK-T

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

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OPA365AMDBVTEPTexas Instruments相似型号

原型号

MAX4323ESA-T

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

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OPA363IDTexas Instruments相似型号

原型号

MAX4330EUK-T

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

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OPA365AMDBVTEPTexas Instruments相似型号

原型号

NCS2001SN2T1

onsemi

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OPA365AMDBVTEPTexas Instruments相似型号

原型号

NCS2001SN2T1G

onsemi

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OPA365AMDBVTEPTexas Instruments相似型号

原型号

OPA363AIDBVR

Texas Instruments

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LTC6268IS6-10#TRMPBFAnalog Devices Inc.相似型号

原型号

OPA364IDBVT

Texas Instruments

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MAX4322EUK+TAnalog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号

原型号

OPA365AIDBVRG4

Texas Instruments

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OPA365AIDBVRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐

技术资料参考

芯片技术资料

297 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

IXTA36P15P

IXYS

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、类型 PolarP Power MOSFET、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 150 V，采用 TO-263-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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IXTA36P15P TRL

IXYS

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） - 150 V、连续漏极电流（Id） - 44 A，采用 TO-263AA-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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LP3470A365DBVR

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最大值） 10 V、电源电压（最小值） 950 mV、类型 Voltage Supervisory、输出类型 Active Low, Open Drain、阈值电压 3.65 V、监控输入数 1 Input，采用 SOT-23-5 封装。

半导体 > Power Management ICs > Supervisory Circuits

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MAAM-007947-CA3602

MACOM

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier

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