7130SA35J
Renesas Electronics Corporation
- 7130LA20JGRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
13 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| 7132SA35C | Renesas |
| 2023-12-05 | 查看资料 |
| KA3525A | onsemi |
| 2023-03-30 | 查看资料 |
| 7140LA35CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7140SA35CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142LA35C | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142LA35CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142LA45CM | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142SA35C | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142SA35CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| KA358 | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| KA358A | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| KA358ADTF | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| KA358DTF | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
来源:第三方数据源非原厂公告
Renesas Electronics Corporation
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技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Renesas Electronics
主要参数包括原产国家或地区 SG、湿敏性 是。
半导体 > Clock & Timer ICs > Clock Generators & Support ProductsRenesas Electronics
主要参数包括原产国家或地区 SG、湿敏性 是。
半导体 > Clock & Timer ICs > Clock Synthesizer / Jitter CleanerMicrochip / Microsemi
该型号为半导体器件。
半导体 > 分立半导体 > Discrete Semiconductor ModulesMicrochip Technology
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET ModulesMicrochip Technology
该型号为半导体器件,主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET-SBD Modules、原产国家或地区 菲律宾。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor ModulesMACOM
RF Amplifier 10-2000MHz NF 5dB Pout 9dBm SMA Conn.
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierCEL
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、测试频率 1.575 GHz、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 12 dBm、增益 17 dB,采用 SMD-4 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierCEL
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3 V、测试频率 1.575 GHz、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 12 dBm、增益 17 dB,采用 SMD-4 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierCypress Semiconductor
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.7 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8、数据总线宽度 8 位,采用 FBGA-48 封装。
半导体 > Memory ICs > NVRAMInfineon Technologies
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.7 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 32 k x 8、数据总线宽度 8 位,采用 FBGA-48 封装。
半导体 > Memory ICs > NVRAM