原型号
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Analog Devices Inc.
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- THS4503CDTexas Instruments相似型号
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第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
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Analog Devices Inc.
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- THS4503IDTexas Instruments相似型号
原型号
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Analog Devices Inc.
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- THS4503CDGNRTexas Instruments相似型号
原型号
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Analog Devices Inc.
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- THS4503IDTexas Instruments相似型号
原型号
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Renesas Electronics Corporation
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- THS4503IDTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 8 条候选ISL43112IH-T
Renesas Electronics Corporation
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- MAX4503CUK+TAnalog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号
原型号
查看详情 · 2 条候选ISL54503IRUZ-T
Renesas Electronics Corporation
- NLAS5123MUR2Gonsemi相似型号
原型号
查看详情 · 6 条候选ISL84516IH-T
Renesas Electronics Corporation
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- MAX4503CUK+TAnalog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号
原型号
查看详情 · 3 条候选MAX4503EUK-T
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- MAX4503EUK+TAnalog Devices Inc./Maxim Integrated直接替代候选
原型号
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onsemi
- MC14503BDGonsemi直接替代候选
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
MCQ4503-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel、晶体管极性 N-Channel, P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 6.9 A, 6.3 A，采用 SOP-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETMCQ4503A-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel、晶体管极性 N-Channel, P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） - 5 A, 6.5 A，采用 SOP-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETMCQ4503B-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国、单件重量 0.003104 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsNLV14503BDR2G
ON Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q100。
半导体 > 集成电路 > Logic ICs > Translation - Voltage LevelsNLV14503BDR2G
onsemi
主要参数包括认证等级 AEC-Q100、组装国家或地区 菲律宾、晶圆制造国家或地区 CZ、原产国家或地区 菲律宾。
半导体 > Logic ICs > Translation - Voltage LevelsNSI45030AT1G
ON Semiconductor
主要参数包括输入电压 45 V、电源电流（最大值） 33 mA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、耗散功率（Pd） 460 mW、单件重量 0.001058 oz，采用 SOD-123 封装。
半导体 > 集成电路 > Driver ICs > LED Lighting DriversNSI45030AZT1G
ON Semiconductor
主要参数包括输入电压 45 V、电源电流（最大值） 33 mA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、耗散功率（Pd） 1.4 W、单件重量 0.003951 oz，采用 SOT-223 封装。
半导体 > 集成电路 > Driver ICs > LED Lighting DriversNSI45030T1G
ON Semiconductor
主要参数包括输出电流 30 mA、工作频率 100 Hz to 100 kHz、输入电压 45 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、耗散功率（Pd） 208 mW，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 集成电路 > Driver ICs > LED Lighting DriversNSI45030ZT1G
ON Semiconductor
主要参数包括单件重量 0.003880 oz，采用 SOT223-4 封装。
半导体 > 集成电路 > Driver ICs > LED Lighting DriversNSI45035JZT1G
ON Semiconductor
主要参数包括低电平输出电流 35 mA、输入电压 45 V、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、单件重量 0.003951 oz，采用 SOT-223 封装。
半导体 > 集成电路 > Driver ICs > LED Lighting Drivers