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原厂资料

59 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
SIHB12N50C-E3Vishay
  • IRFS11N50APbF
2024-05-02查看资料
BAS116Q-13-F-2462Diodes Incorporated
  • BAS116Q-13-F
2023-09-12查看资料
BAS116Q-13-F-2545Diodes Incorporated
  • BAS116Q-13-F
2023-09-12查看资料
BAS116Q-7-F-2545Diodes Incorporated
  • BAS116Q-7-F
2023-09-12查看资料
DPS1035FIA-13Diodes Incorporated
  • DPS1135FIA-13
2023-08-29查看资料
DFLS1100-7-2477Diodes Incorporated
  • DFLS1100-7
2023-05-15查看资料
DFLS1150-7-2477Diodes Incorporated
  • DFLS1150-7
2023-05-15查看资料
8V74S4622NLGIRenesas
  • 8P34S1102NLGI
2022-10-11查看资料
8V74S4622NLGI/WRenesas
  • 8P34S1102NLGI8
2022-10-11查看资料
8V74S4622NLGI8Renesas
  • 8P34S1102NLGI8
2022-10-11查看资料
SURS283T3G-VF01onsemi
  • NRVUS110VT3G
2022-09-30查看资料
UDZS11BDiodes Incorporated
  • V-UDZS11B-07-LTL
2022-03-31查看资料
853S111BYILFRenesas
  • 853S111BKILF
2022-02-28查看资料
853S111BYILFTRenesas
  • 853S111BKILFT
2022-02-28查看资料
854S54AKI-01LFRenesas
  • 8P34S1102NLGI
2022-02-28查看资料
854S54AKI-01LFTRenesas
  • 8P34S1102NLGI8
2022-02-28查看资料
8T33FS6111DXGIRenesas
  • 853S111BKILF
2022-02-28查看资料
8T33FS6111DXGI8Renesas
  • 853S111BKILFT
2022-02-28查看资料
BAS116LT3Gonsemi
  • BAS116LT1G
2021-07-07查看资料
83940DYILFRenesas
  • 8SLVS1118NLGI
2020-06-11查看资料
83940DYILFTRenesas
  • 8SLVS1118NLGI8
2020-06-11查看资料
83940DYLFRenesas
  • 8SLVS1118NLGI
2020-06-11查看资料
83940DYLFTRenesas
  • 8SLVS1118NLGI8
2020-06-11查看资料
8530DYLFRenesas
  • 8SLVS1118NLGI
2020-06-11查看资料
8530DYLF/WRenesas
  • 8SLVS1118NLGI/W
2020-06-11查看资料
8530DYLFTRenesas
  • 8SLVS1118NLGI8
2020-06-11查看资料
8530FY-01LFRenesas
  • 8SLVS1118NLGI
2020-06-11查看资料
8530FY-01LFTRenesas
  • 8SLVS1118NLGI8
2020-06-11查看资料
87016AYLFRenesas
  • 8SLVS1118NLGI
2020-06-11查看资料
87016AYLF/WRenesas
  • 8SLVS1118NLGI/W
2020-06-11查看资料
87016AYLFTRenesas
  • 8SLVS1118NLGI8
2020-06-11查看资料
DFLS1100-7-GDiodes Incorporated
  • DFLS1100-7
2020-05-28查看资料
2325090Infineon
  • S29GL01GS11DHA023
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8611200975Infineon
  • S29GL512S11TFA020
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LE25FU406BMS11-TLM-Honsemi
  • LE25U40CMCS00-AH
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P770011C-F9C353Infineon
  • S29GL256S11DHV023
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P770011C-F9C375Infineon
  • S29GL256S11DHV023
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P770011C-F9C975Infineon
  • S29GL256S11DHV023
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P770012C-F9C000Infineon
  • S29GL256S11TFV023
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P770012CF9C000Infineon
  • S29GL256S11TFV023
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P770013CF9C000Infineon
  • S29GL256S11DHIV23
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P770023CF0C000Infineon
  • S29GL512S11DHI023
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P7700280F0C000Infineon
  • S29GL512S11TFI020
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P770032CF0C001Infineon
  • S70GL02GS11FHI013
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P770048CF0C000Infineon
  • S70GL02GS11FHV023
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S29GL128P11FFIV10Infineon
  • S29GL128S11FHI
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S29GL128P11FFIV13Infineon
  • S29GL128S11FHI
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S29GL128P11FFIV20Infineon
  • S29GL128S11FHI
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S29GL128P11FFIV22Infineon
  • S29GL128S11FHI
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S29GL128P11FFIV23Infineon
  • S29GL128S11FHI
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

25 个原型号
原型号

5T9070PAGI

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 8T39S11ANLGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

83940DYLFT

Renesas Electronics Corporation

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  • 8SLVS1118NLGI8Renesas Electronics Corporation相似型号
原型号

8530FY-01LFT

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 2 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 8SLVS1118NLGI8Renesas Electronics Corporation相似型号
原型号

8V74S4622NLGI

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 8P34S1102NLGIRenesas Electronics Corporation第三方标注：厂商推荐
原型号

ADS1100A0IDBVTG4

Texas Instruments

查看详情 · 25 条候选
  • ADS1100A0IDBVTTexas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号

ADS1100A4IDBVRG4

Texas Instruments

查看详情 · 25 条候选
  • ADS1100A4IDBVRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号

ADS1110A5IDBVT

Texas Instruments

查看详情 · 6 条候选
  • ADS1110A0IDBVRTexas Instruments参数相近
原型号

ADS1148IRHBR

Texas Instruments

查看详情 · 1 条候选
  • ADS1148IRHBTTexas Instruments参数相近
原型号

AOZ6184QT

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

查看详情 · 9 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • NS5S1153MUTAGonsemi相似型号
原型号

AS11P2TLRQ

STMicroelectronics

查看详情 · 2 条候选
  • NLASB3157MTR2Gonsemi形状、安装及功能匹配候选

技术资料参考

芯片技术资料

1,432 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

MT3S113P(TE12L,F)

Toshiba

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 7.7 GHz、技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 200、最大集电极－发射极电压（VCEO） 5.3 V，采用 SC-62-3 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF Bipolar Transistors
查看技术资料

MT3S113TU,LF

Toshiba

该型号为晶体管，主要参数包括工作频率 11.2 GHz、技术 SiGe、晶体管类型 Bipolar、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 200、最大集电极－发射极电压（VCEO） 5.3 V，采用 UFM-3 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Transistors RF > RF Bipolar Transistors
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MURS110T3G

ON Semiconductor

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 100 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 875 mV、最大浪涌电流 40 A，采用 SMB 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
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MURS115T3G

ON Semiconductor

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 150 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 875 mV、最大浪涌电流 40 A，采用 SMB 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
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NIS1161MTTAG

ON Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括通道数 2 个通道、接触放电静电耐受电压 8 kV、空气放电静电耐受电压 15 kV、极性 Unidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 16.5 V，采用 WDFN-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors
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NL17SZS11DFT2G-Q

onsemi

主要参数包括电源电压（最小值） 1.65 V、电源电压（最大值） 5.5 V、低电平输出电流 32 mA、高电平输出电流 - 32 mA、输出电流 24 mA、逻辑功能 AND，采用 SC-88-6 封装。

半导体 > Logic ICs > Logic Gates
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NRVUS110VT3G

ON Semiconductor

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 100 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.875 V、最大浪涌电流 40 A，采用 SMB-403A 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
查看技术资料

NRVUS110VT3G

onsemi

主要参数包括类型 Ultra Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 100 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 875 mV、最大浪涌电流 40 A，采用 SMB-403A 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
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NS5S1153MUTAG

ON Semiconductor

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.7～5 V、电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、产品 USB 2.0, Audio Switches、配置 1 x DPDT、导通电阻（最大值） 5.5 Ω，采用 UQFN-10 封装。

半导体 > 集成电路 > Switch ICs > USB Switch ICs
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NS5S1153MUTAG

onsemi

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 2.7～5 V、电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、产品 USB 2.0, Audio Switches、配置 1 x DPDT、导通电阻（最大值） 5.5 Ω，采用 UQFN-10 封装。

半导体 > Switch ICs > USB Switch ICs
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