原型号
查看详情 · 3 条候选LD29300D2M50
STMicroelectronics
- MIC29150-5.0WUMicrochip Technology相似型号
搜索结果
原厂资料
18 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| VC-806-HDE-FAAN-212M500000 | Microchip |
| 2023-06-06 | 查看资料 |
| VCC6-LCF-212M500000 | Microchip |
| 2023-06-06 | 查看资料 |
| FM5000002 | Diodes Incorporated |
| 2023-03-30 | 查看资料 |
| FSAM50SM60A | onsemi |
| 2021-04-08 | 查看资料 |
| STK5F1U3E3D-E | onsemi |
| 2021-01-29 | 查看资料 |
| AD5161BRM50 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5161BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5173BRM50 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5173BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5243BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2012-04-19 | 查看资料 |
| LM5025DMTC/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5025DMTCX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027AMH/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027AMHX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027ASQ/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5035DMHX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5037MT/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5037MTX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 20 条候选LD2982BM50R
STMicroelectronics
- LD2980ABM50TRSTMicroelectronics参数相近
原型号
查看详情 · 24 条候选LD2985BM50R
STMicroelectronics
- LP2985IM5X-5.0/NOPBTexas Instruments直接替代候选
原型号
查看详情 · 1 条候选LFE2M50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
- LFE2M50E-6FN484CLattice Semiconductor Corporation相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选LFE2M50E-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
- LFE2M50E-7FN484CLattice Semiconductor Corporation直接替代候选
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Lattice Semiconductor Corporation
- LFE2M50SE-6FN672CLattice Semiconductor Corporation直接替代候选
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Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Texas Instruments
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Texas Instruments
- LM5002SDX/NOPBTexas Instruments参数相近
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
SUM50010E-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 150 A，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSUM50010E-GE3
Vishay Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 150 A，采用 D2PAK-3 (TO-263-3) 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsSUM50010EL-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 150 A，采用 D2PAK-3 (TO-263-3) 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsSUM50020E-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 120 A、漏源导通电阻（Rds On） 2.4 mOhms，采用 TO-220AB-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSUM50020E-GE3
Vishay Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 120 A、漏源导通电阻（Rds On） 2.4 mOhms，采用 D2PAK-3 (TO-263-3) 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsSUM50020EL-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括技术 Si、商品名称 TrenchFET、高度 4.83 mm、长度 10.67 mm、宽度 9.65 mm、单件重量 0.068654 oz，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSUM50N03-13LC-E3
Vishay / Siliconix
主要参数包括技术 Si、商品名称 TrenchFET、高度 4.82 mm、长度 10.4 mm、宽度 9.65 mm、型号别名 SUM50N03-13LC，采用 TO-263-5 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETTPS65921B1ZBHR
Texas Instruments
该型号为电源管理器件，主要参数包括工作电源电压 2.7～4.5 V、最大输出电压 3.15 V、输出电压范围 600 mV to 3.15 V、输出电流 1.2 A、类型 USB、输入电压（最大值） 1.55 V，采用 NFBGA-120 封装。
半导体 > Power Management ICs > Power Management Specialized - PMICTQM7M5013
Qorvo
主要参数包括湿敏性 是、型号别名 1077563。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierTQM7M5022
Qorvo
主要参数包括类型 Power Amplifier、带宽 900 MHz、湿敏性 是、型号别名 1074683，采用 Module 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier