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原厂资料

28 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
FJ2500049QDiodes Incorporated
  • HX2A25015Q
2025-08-22查看资料
HX31250035Diodes Incorporated
  • HX3A25013J
2025-06-16查看资料
HX2125004QDiodes Incorporated
  • HX2A25004Q
2024-11-14查看资料
FJ2500011Diodes Incorporated
  • HX2A250003
2024-06-25查看资料
FK2500042Diodes Incorporated
  • HX3A250004
2024-06-25查看资料
FK2500054Diodes Incorporated
  • HX3A250002
2024-06-25查看资料
HX21250020Diodes Incorporated
  • HX2A250006
2024-06-25查看资料
HX3125021QDiodes Incorporated
  • HX3A25006Q
2024-06-25查看资料
HX3125025ZDiodes Incorporated
  • HX3A25005Z
2024-06-25查看资料
7130SA55CMRenesas
  • 7130LA25PFGI
2023-12-05查看资料
NLAS3899BMNTBGonsemi
  • FSA2567UMX
2023-10-02查看资料
NLAS3899BMNTWGonsemi
  • FSA2567MPX
2023-10-02查看资料
NLAS3899BMNTXGonsemi
  • FSA2567MPX
2023-10-02查看资料
71256SA25PZGRenesas
  • 71256SA20TPG
2023-05-18查看资料
71256SA25PZG8Renesas
  • 71256SA20TPG
2023-05-18查看资料
71256SA25PZGIRenesas
  • 71256SA20TPG
2023-05-18查看资料
71256SA25PZGI8Renesas
  • 71256SA20TPG
2023-05-18查看资料
71256SA25YGRenesas
  • 71256SA25PZGI
2022-02-28查看资料
71256SA25YG8Renesas
  • 71256SA25PZGI8
2022-02-28查看资料
KA258ADTFonsemi
  • LM258DR2G
2019-11-04查看资料
VS-HFA25PB60PBFVishay
  • VS-HFA25PB60-N3
2019-09-14查看资料
0W463-002-XDIonsemi
  • CAT25A256DTR
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CG9059AMInfineon
  • CY14B101LA-BA25XI
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CG9059AMTInfineon
  • CY14B101LA-BA25XIT
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CY14B101LA-SZ25XIInfineon
  • CY14B101LA-BA25XI
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CY14B101LA-SZ25XITInfineon
  • CY14B101LA-BA25XIT
查看资料
ESDA25B1STMicroelectronics
  • ESDA25SC6Y
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OPA241PATexas Instruments
  • OPA241UA/2K5
  • OPA251UA/2K5
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

128 个原型号
原型号

24AA256T/SM

Microchip Technology

查看详情 · 10 条候选
  • 24AA256/SMMicrochip Technology直接替代候选
原型号

24FC256-I/ST

Microchip Technology

查看详情 · 6 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 24AA256UID-I/STMicrochip Technology相似型号
原型号

6116LA20SOGI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 6116LA25SOGI8Renesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71256SA25YG

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 10 条候选
  • AS7C256A-10JCNAlliance Memory, Inc.相似型号
原型号

7130LA25JGI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 71342LA25PFGIRenesas Electronics Corporation第三方标注：厂商推荐
原型号

7130LA25TFI

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 7130LA25TFGIRenesas Electronics Corporation直接替代候选
原型号

7130SA35JI

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 7130LA25JGIRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

7130SA55JI

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 7130LA25JGIRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

7130SA55PFI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 7130LA25PFGI8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

71321LA25PFI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 71321LA25PFGI8Renesas Electronics Corporation直接替代候选

技术资料参考

芯片技术资料

960 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

TISP4A250H3BJR-S

Bourns

主要参数包括转折电压（VBO） - 250 V, 125 V、最大转折电流（IBO） 600 mA、非重复通态电流 55 A, 60 A、额定重复断态电压（VDRM） - 200 V, 100 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 5 uA、最大维持电流（Ih） 600 mA，采用 DO-214AA-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Thyristors > Thyristor Surge Protection Devices (TSPD)
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TK8A25DA,S4X

Toshiba

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 250 V、连续漏极电流（Id） 7.5 A，采用 TO-220SIS-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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TL4050A25IDBZR

Texas Instruments

主要参数包括输出电压 2.5 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、基准类型 Shunt Precision References、初始精度 0.1 %、温度系数 50 PPM / C、分流电流（最大值） 15 mA，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage References
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TL4050A25IDBZT

Texas Instruments

主要参数包括输出电压 2.5 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、基准类型 Shunt Precision References、初始精度 0.1 %、温度系数 50 PPM / C、分流电流（最大值） 15 mA，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage References
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TL4050A25IDBZTG4

Texas Instruments

主要参数包括输出电压 2.5 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、基准类型 Shunt Precision References、初始精度 0.1 %、温度系数 50 PPM / C、分流电流（最大值） 15 mA，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage References
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TL4050A25IDCKR

Texas Instruments

主要参数包括输出电压 2.5 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、基准类型 Shunt Precision References、初始精度 0.1 %、温度系数 50 PPM / C、分流电流（最大值） 15 mA，采用 SC70-5 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage References
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TL4050A25IDCKT

Texas Instruments

主要参数包括输出电压 2.5 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、基准类型 Shunt Precision References、初始精度 0.1 %、温度系数 50 PPM / C、分流电流（最大值） 15 mA，采用 SC70-5 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage References
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TL4050A25QDBZR

Texas Instruments

主要参数包括输出电压 2.5 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、基准类型 Shunt Precision References、初始精度 0.1 %、温度系数 50 PPM / C、分流电流（最大值） 15 mA，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage References
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TL4050A25QDBZT

Texas Instruments

主要参数包括输出电压 2.5 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、基准类型 Shunt Precision References、初始精度 0.1 %、温度系数 50 PPM / C、分流电流（最大值） 15 mA，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage References
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TL4050A25QDCKR

Texas Instruments

主要参数包括输出电压 2.5 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、基准类型 Shunt Precision References、初始精度 0.1 %、温度系数 50 PPM / C、分流电流（最大值） 15 mA，采用 SC70-5 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage References
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