ChipSourceHub 美芯科技

搜索结果

原厂资料

18 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
VC-806-HDE-FAAN-212M500000Microchip
  • VC-830-HDE-FAAN-212M5000000TR
2023-06-06查看资料
VCC6-LCF-212M500000Microchip
  • VC-714-EDE-FAAN-212M5000000TR
2023-06-06查看资料
FM5000002Diodes Incorporated
  • LX11500001
2023-03-30查看资料
FSAM50SM60Aonsemi
  • NFAL5065L4B
2021-04-08查看资料
STK5F1U3E3D-Eonsemi
  • FNB35060T
  • NFAM5065L4BTL
2021-01-29查看资料
AD5161BRM50Analog Devices
  • AD5161BRMZ50
2018-02-23查看资料
AD5161BRM50-RL7Analog Devices
  • AD5161BRMZ50-RL7
2018-02-23查看资料
AD5173BRM50Analog Devices
  • AD5173BRMZ10
2018-02-23查看资料
AD5173BRM50-RL7Analog Devices
  • AD5173BRMZ10-RL7
2018-02-23查看资料
AD5243BRM50-RL7Analog Devices
  • AD5243BRMZ50-RL7
2012-04-19查看资料
LM5025DMTC/NOPBTexas Instruments
  • LM5025SD/NOPB
查看资料
LM5025DMTCX/NOPBTexas Instruments
  • LM5025SDX/NOPB
查看资料
LM5027AMH/NOPBTexas Instruments
  • LM5025AMTC/NOPB
查看资料
LM5027AMHX/NOPBTexas Instruments
  • LM5025AMTCX/NOPB
查看资料
LM5027ASQ/NOPBTexas Instruments
  • LM5025ASD/NOPB
查看资料
LM5035DMHX/NOPBTexas Instruments
  • LM5035SQ/NOPB
查看资料
LM5037MT/NOPBTexas Instruments
  • LM25037MT/NOPB
查看资料
LM5037MTX/NOPBTexas Instruments
  • LM25037MTX/NOPB
查看资料

第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

37 个原型号
原型号

LD29300D2M50

STMicroelectronics

查看详情 · 3 条候选
  • MIC29150-5.0WUMicrochip Technology相似型号
原型号

LD2982BM50R

STMicroelectronics

查看详情 · 20 条候选
  • LD2980ABM50TRSTMicroelectronics参数相近
原型号

LD2985BM50R

STMicroelectronics

查看详情 · 24 条候选
  • LP2985IM5X-5.0/NOPBTexas Instruments直接替代候选
原型号

LFE2M50E-6F484I

Lattice Semiconductor Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • LFE2M50E-6FN484CLattice Semiconductor Corporation相似型号
原型号

LFE2M50E-7F484C

Lattice Semiconductor Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • LFE2M50E-7FN484CLattice Semiconductor Corporation直接替代候选
原型号

LFE2M50SE-6F672C

Lattice Semiconductor Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • LFE2M50SE-6FN672CLattice Semiconductor Corporation直接替代候选
原型号

LFE2M50SE-6FN484I

Lattice Semiconductor Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • LFE2M50SE-7FN484CLattice Semiconductor Corporation相似型号
原型号

LFE2M50SE-6FN672I

Lattice Semiconductor Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • LFE2M50SE-7FN672CLattice Semiconductor Corporation相似型号
原型号

LM5000SDX-6/NOPB

Texas Instruments

查看详情 · 1 条候选
  • LM5000SD-6/NOPBTexas Instruments参数相近
原型号

LM5002SD

Texas Instruments

查看详情 · 2 条候选
  • LM5002SDX/NOPBTexas Instruments参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

796 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

STW19NM50N

STMicroelectronics

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 N-Channel、类型 MDmesh II Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 500 V,采用 TO-247-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
查看技术资料

STW20NM50FD

STMicroelectronics

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 500 V、连续漏极电流(Id) 20 A,采用 TO-247-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
查看技术资料

STW23NM50N

STMicroelectronics

主要参数包括技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 500 V、连续漏极电流(Id) 17 A、漏源导通电阻(Rds On) 162 mOhms、商品名称 MDmesh,采用 TO-247-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
查看技术资料

STW26NM50

STMicroelectronics

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 500 V、连续漏极电流(Id) 30 A,采用 TO-247-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
查看技术资料

STW28NM50N

STMicroelectronics

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 N-Channel MDmesh II Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 500 V,采用 TO-247-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
查看技术资料

STW32NM50N

STMicroelectronics

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 500 V、连续漏极电流(Id) 13.86 A,采用 TO-247-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
查看技术资料

STW45NM50

STMicroelectronics

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 500 V、连续漏极电流(Id) 45 A,采用 TO-247-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
查看技术资料

STW60NM50N

STMicroelectronics

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 500 V、连续漏极电流(Id) 43 A,采用 TO-247-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
查看技术资料

STY105NM50N

STMicroelectronics

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 600 V、连续漏极电流(Id) 88 A,采用 Max247-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
查看技术资料

STY60NM50

STMicroelectronics

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 500 V,采用 Max247-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
查看技术资料