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原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
FJ2500049Q	Diodes Incorporated	HX2A25015Q	2025-08-22	查看资料
HX31250035	Diodes Incorporated	HX3A25013J	2025-06-16	查看资料
HX2125004Q	Diodes Incorporated	HX2A25004Q	2024-11-14	查看资料
FJ2500011	Diodes Incorporated	HX2A250003	2024-06-25	查看资料
FK2500042	Diodes Incorporated	HX3A250004	2024-06-25	查看资料
FK2500054	Diodes Incorporated	HX3A250002	2024-06-25	查看资料
HX21250020	Diodes Incorporated	HX2A250006	2024-06-25	查看资料
HX3125021Q	Diodes Incorporated	HX3A25006Q	2024-06-25	查看资料
HX3125025Z	Diodes Incorporated	HX3A25005Z	2024-06-25	查看资料
7130SA55CM	Renesas	7130LA25PFGI	2023-12-05	查看资料
NLAS3899BMNTBG	onsemi	FSA2567UMX	2023-10-02	查看资料
NLAS3899BMNTWG	onsemi	FSA2567MPX	2023-10-02	查看资料
NLAS3899BMNTXG	onsemi	FSA2567MPX	2023-10-02	查看资料
71256SA25PZG	Renesas	71256SA20TPG	2023-05-18	查看资料
71256SA25PZG8	Renesas	71256SA20TPG	2023-05-18	查看资料
71256SA25PZGI	Renesas	71256SA20TPG	2023-05-18	查看资料
71256SA25PZGI8	Renesas	71256SA20TPG	2023-05-18	查看资料
71256SA25YG	Renesas	71256SA25PZGI	2022-02-28	查看资料
71256SA25YG8	Renesas	71256SA25PZGI8	2022-02-28	查看资料
KA258ADTF	onsemi	LM258DR2G	2019-11-04	查看资料
VS-HFA25PB60PBF	Vishay	VS-HFA25PB60-N3	2019-09-14	查看资料
0W463-002-XDI	onsemi	CAT25A256DTR		查看资料
CG9059AM	Infineon	CY14B101LA-BA25XI		查看资料
CG9059AMT	Infineon	CY14B101LA-BA25XIT		查看资料
CY14B101LA-SZ25XI	Infineon	CY14B101LA-BA25XI		查看资料
CY14B101LA-SZ25XIT	Infineon	CY14B101LA-BA25XIT		查看资料
ESDA25B1	STMicroelectronics	ESDA25SC6Y		查看资料
OPA241PA	Texas Instruments	OPA241UA/2K5 OPA251UA/2K5		查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

128 个原型号

原型号

24AA256T/SM

Microchip Technology

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24AA256/SMMicrochip Technology直接替代候选

原型号

24FC256-I/ST

Microchip Technology

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

24AA256UID-I/STMicrochip Technology相似型号

原型号

6116LA20SOGI8

Renesas Electronics Corporation

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

6116LA25SOGI8Renesas Electronics Corporation相似型号

原型号

71256SA25YG

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 10 条候选

AS7C256A-10JCNAlliance Memory, Inc.相似型号

原型号

7130LA25JGI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

71342LA25PFGIRenesas Electronics Corporation第三方标注：厂商推荐

原型号

7130LA25TFI

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

7130LA25TFGIRenesas Electronics Corporation直接替代候选

原型号

7130SA35JI

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

7130LA25JGIRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选

原型号

7130SA55JI

Renesas Electronics Corporation

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7130LA25JGIRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选

原型号

7130SA55PFI8

Renesas Electronics Corporation

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

7130LA25PFGI8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选

原型号

71321LA25PFI8

Renesas Electronics Corporation

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71321LA25PFGI8Renesas Electronics Corporation直接替代候选

技术资料参考

芯片技术资料

960 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

TGA2594-HM

Qorvo

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 20 V、工作频率 27～31 GHz、测试频率 29 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier，采用 QFN-22 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier

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TGA2594-HMTR7

Qorvo

主要参数包括工作电源电压 20 V、工作频率 27～31 GHz、测试频率 27.7 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 140 mA，采用 QFN-22 封装。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier

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TGA2595

Qorvo

主要参数包括工作电源电压 20 V、电源电压（最大值） 22 V、工作频率 27.5～31 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 39.5 dBm。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier

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TGA2595-CP

Qorvo

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 20 V、工作频率 27.5～31 GHz、技术氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifier、增益 21 dB。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier

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TGA2597

Qorvo

主要参数包括型号别名 1110974。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier

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TGA2597-SM

Qorvo

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 25 V、工作频率 2～6 GHz、技术 GaN SiC、类型 Driver Amplifier、增益 24 dB，采用 QFN-20 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier

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TGA2598

Qorvo

主要参数包括型号别名 1110978。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier

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TGA2598-SM

Qorvo

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 25 V、工作频率 6～12 GHz、测试频率 9 GHz、技术 GaN SiC、类型 Driver Amplifier，采用 QFN-24 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier

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TGA2599-SM

Qorvo

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 25 V、电源电压（最大值） 40 V、工作频率 5～8 GHz、测试频率 8 GHz、技术 GaN SiC，采用 QFN-20 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier

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TGA2599-SMTR

Qorvo

主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 5～8 GHz、技术氮化镓（GaN）、增益 23 dB、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-20 封装。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier

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