原型号
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Infineon Technologies
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- CY7C1041G30-10ZSXIInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐
搜索结果
原厂资料
7 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| PI7C9X20303ULAZPEX | Diodes Incorporated |
| 2026-01-22 | 查看资料 |
| IHCM2321AAEG301N10 | Vishay |
| 2025-09-11 | 查看资料 |
| G30H150CTFW | Diodes Incorporated |
| 2022-08-29 | 查看资料 |
| G30H150CTW | Diodes Incorporated |
| 2022-08-29 | 查看资料 |
| RHRG1560CC-F085 | onsemi |
| 2021-04-08 | 查看资料 |
| CG10167AA | Infineon |
| 查看资料 | |
| CG10167AAT | Infineon |
| 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 1 条候选CY62162G30-45BGXIT
Infineon Technologies
- CY62162G18-55BGXITInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐
原型号
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix
- DG302AAK/883BAnalog Devices Inc./Maxim Integrated直接替代候选
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Vishay Siliconix
- DG307ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号
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Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix
- DG308BDY-E3Vishay Siliconix参数相近
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
WG30N65MAW1Q
WeEn Semiconductors
主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 650 V、集电极－发射极饱和电压 1.6 V、最大栅射电压 - 20 V, 20 V、25°C 时连续集电极电流 60 A，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTsWG30N65MAX1Q
WeEn Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国、型号别名 934074119127。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTsWG30N65MF1Q
WeEn Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国、型号别名 934074117127。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTsWG30N65MFB1J
WeEn Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国、型号别名 934074331118。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTsWG30N65MFW1Q
WeEn Semiconductors
主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 650 V、集电极－发射极饱和电压 1.6 V、最大栅射电压 - 20 V, 20 V、25°C 时连续集电极电流 60 A，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTsWG30N65UAW1Q
WeEn Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国、型号别名 934074203127。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTsWG30N65UFW1Q
WeEn Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国、型号别名 934074204127。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTsWG30R110W1Q
WeEn Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国、型号别名 934074270127。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTsWG30R135W1Q
WeEn Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国、型号别名 934074172127。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTsWG30R140W1Q
WeEn Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国、型号别名 934074060127。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTs