原型号
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Infineon Technologies
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- CY7C1041G30-10ZSXIInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐
搜索结果
原厂资料
7 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| PI7C9X20303ULAZPEX | Diodes Incorporated |
| 2026-01-22 | 查看资料 |
| IHCM2321AAEG301N10 | Vishay |
| 2025-09-11 | 查看资料 |
| G30H150CTFW | Diodes Incorporated |
| 2022-08-29 | 查看资料 |
| G30H150CTW | Diodes Incorporated |
| 2022-08-29 | 查看资料 |
| RHRG1560CC-F085 | onsemi |
| 2021-04-08 | 查看资料 |
| CG10167AA | Infineon |
| 查看资料 | |
| CG10167AAT | Infineon |
| 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 1 条候选CY62162G30-45BGXIT
Infineon Technologies
- CY62162G18-55BGXITInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐
原型号
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Infineon Technologies
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原型号
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Infineon Technologies
- AS7C34098A-10JINAlliance Memory, Inc.相似型号
原型号
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Infineon Technologies
- CY7S1061GE30-10ZXITInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐
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Vishay Siliconix
- DG300ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号
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Vishay Siliconix
- DG302AAK/883BAnalog Devices Inc./Maxim Integrated直接替代候选
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Vishay Siliconix
- DG307ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号
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Vishay Siliconix
- DG408DQ-T1-E3Vishay Siliconix第三方标注：厂商推荐
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Vishay Siliconix
- DG308BDY-E3Vishay Siliconix参数相近
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
W1360LG300
IXYS
主要参数包括产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersWG30N65HA1Q
WeEn Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国、型号别名 934074114127。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTsWG30N65HAW1Q
WeEn Semiconductors
主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 650 V、集电极－发射极饱和电压 1.55 V、最大栅射电压 - 20 V, 20 V、25°C 时连续集电极电流 60 A，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTsWG30N65HAW2Q
WeEn Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国、型号别名 934074196127。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTsWG30N65HAX1Q
WeEn Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国、型号别名 934074118127。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTsWG30N65HF1Q
WeEn Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国、型号别名 934074115127。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTsWG30N65HFB1J
WeEn Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国、型号别名 934074087118。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTsWG30N65HFW1Q
WeEn Semiconductors
主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 650 V、集电极－发射极饱和电压 1.55 V、最大栅射电压 - 20 V, 20 V、25°C 时连续集电极电流 60 A，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTsWG30N65HJ1Q
WeEn Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国、型号别名 934074062127。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTsWG30N65MA1Q
WeEn Semiconductors
主要参数包括原产国家或地区 中国、型号别名 934074116127。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTs