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搜索结果

原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
PI7C9X20303ULAZPEX	Diodes Incorporated	PI7C9X2G304EVAZXAEX	2026-01-22	查看资料
IHCM2321AAEG301N10	Vishay	ICMS2321AGEG281N10	2025-09-11	查看资料
G30H150CTFW	Diodes Incorporated	SDT30150GCTSP	2022-08-29	查看资料
G30H150CTW	Diodes Incorporated	SDT30150GCT	2022-08-29	查看资料
RHRG1560CC-F085	onsemi	RURG3060CC-F085	2021-04-08	查看资料
CG10167AA	Infineon	CY62147G30-45BVXA		查看资料
CG10167AAT	Infineon	CY62147G30-45BVXA		查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

26 个原型号

原型号

CG8556AA

Infineon Technologies

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

CY7C1041G30-10ZSXIInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐

原型号

CY62162G30-45BGXIT

Infineon Technologies

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CY62162G18-55BGXITInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐

原型号

CY7C10612GE30-10ZSXI

Infineon Technologies

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

CY7C10612G30-10ZSXIInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐

原型号

CY7S1041G30-10VXI

Infineon Technologies

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AS7C34098A-10JINAlliance Memory, Inc.相似型号

原型号

CY7S1061G30-10ZXIT

Infineon Technologies

查看详情 · 1 条候选

CY7S1061GE30-10ZXITInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐

原型号

DG300BDJ

Vishay Siliconix

查看详情 · 1 条候选

DG300ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号

原型号

DG302AAK/883

Vishay Siliconix

查看详情 · 2 条候选

DG302AAK/883BAnalog Devices Inc./Maxim Integrated直接替代候选

原型号

DG307AAK/883

Vishay Siliconix

查看详情 · 1 条候选

DG307ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号

原型号

DG308BDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

查看详情 · 11 条候选

DG408DQ-T1-E3Vishay Siliconix第三方标注：厂商推荐

原型号

DG308BDY

Vishay Siliconix

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DG308BDY-E3Vishay Siliconix参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

765 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

TPS3851G30EDRBR

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 1.8 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、类型 Voltage Supervisory、输出类型 Active-low,Open-drain、阈值电压 3 V，采用 SON-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits

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TPS3851G30EDRBT

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 1.8 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、类型 Voltage Supervisory、输出类型 Active-low,Open-drain、阈值电压 3 V，采用 SON-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits

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TPS3851G30EQDRBRQ1

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 1.8 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、类型 Voltage Supervisory、输出类型 Active-low,Open-drain、阈值电压 3 V，采用 SON-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits

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TPS3851G30SQDRBRQ1

Texas Instruments

主要参数包括电源电压（最大值） 5 V、电源电压（最小值） 1.8 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、类型 Voltage Supervisory、输出类型 Active-low,Open-drain、阈值电压 3 V，采用 SON-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits

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UG305P S1G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 300 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.93 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SMPC-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers

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UG305P S2G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 300 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.93 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SMPC-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers

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UG30APT-E3/45

Vishay Semiconductors

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 50 V、正向电流（If） 30 A、配置 Dual Common Cathode、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 300 A，采用 TO-247AD 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers

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UG30BPT-E3/45

Vishay Semiconductors

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 100 V、正向电流（If） 30 A、配置 Dual Common Cathode、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 300 A，采用 TO-247AD 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers

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UG30CPT-E3/45

Vishay Semiconductors

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 150 V、正向电流（If） 30 A、配置 Dual Common Cathode、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 300 A，采用 TO-247AD 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers

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UG30DPT-E3/45

Vishay Semiconductors

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 30 A、配置 Dual Common Cathode、正向电压（Vf） 1.15 V、最大浪涌电流 300 A，采用 TO-247AD 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers

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