原型号
查看详情 · 10 条候选24AA256T/SM
Microchip Technology
- 24AA256/SMMicrochip Technology直接替代候选
搜索结果
原厂资料
28 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| FJ2500049Q | Diodes Incorporated |
| 2025-08-22 | 查看资料 |
| HX31250035 | Diodes Incorporated |
| 2025-06-16 | 查看资料 |
| HX2125004Q | Diodes Incorporated |
| 2024-11-14 | 查看资料 |
| FJ2500011 | Diodes Incorporated |
| 2024-06-25 | 查看资料 |
| FK2500042 | Diodes Incorporated |
| 2024-06-25 | 查看资料 |
| FK2500054 | Diodes Incorporated |
| 2024-06-25 | 查看资料 |
| HX21250020 | Diodes Incorporated |
| 2024-06-25 | 查看资料 |
| HX3125021Q | Diodes Incorporated |
| 2024-06-25 | 查看资料 |
| HX3125025Z | Diodes Incorporated |
| 2024-06-25 | 查看资料 |
| 7130SA55CM | Renesas |
| 2023-12-05 | 查看资料 |
| NLAS3899BMNTBG | onsemi |
| 2023-10-02 | 查看资料 |
| NLAS3899BMNTWG | onsemi |
| 2023-10-02 | 查看资料 |
| NLAS3899BMNTXG | onsemi |
| 2023-10-02 | 查看资料 |
| 71256SA25PZG | Renesas |
| 2023-05-18 | 查看资料 |
| 71256SA25PZG8 | Renesas |
| 2023-05-18 | 查看资料 |
| 71256SA25PZGI | Renesas |
| 2023-05-18 | 查看资料 |
| 71256SA25PZGI8 | Renesas |
| 2023-05-18 | 查看资料 |
| 71256SA25YG | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 71256SA25YG8 | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| KA258ADTF | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| VS-HFA25PB60PBF | Vishay |
| 2019-09-14 | 查看资料 |
| 0W463-002-XDI | onsemi |
| 查看资料 | |
| CG9059AM | Infineon |
| 查看资料 | |
| CG9059AMT | Infineon |
| 查看资料 | |
| CY14B101LA-SZ25XI | Infineon |
| 查看资料 | |
| CY14B101LA-SZ25XIT | Infineon |
| 查看资料 | |
| ESDA25B1 | STMicroelectronics |
| 查看资料 | |
| OPA241PA | Texas Instruments |
| 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 6 条候选24FC256-I/ST
Microchip Technology
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- 24AA256UID-I/STMicrochip Technology相似型号
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Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- 6116LA25SOGI8Renesas Electronics Corporation相似型号
原型号
查看详情 · 10 条候选71256SA25YG
Renesas Electronics Corporation
- AS7C256A-10JCNAlliance Memory, Inc.相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选7130LA25JGI8
Renesas Electronics Corporation
- 71342LA25PFGIRenesas Electronics Corporation第三方标注：厂商推荐
原型号
查看详情 · 1 条候选7130LA25TFI
Renesas Electronics Corporation
- 7130LA25TFGIRenesas Electronics Corporation直接替代候选
原型号
查看详情 · 1 条候选7130SA35JI
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- 7130LA25JGIRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号
查看详情 · 1 条候选7130SA55JI
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- 7130LA25JGIRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号
查看详情 · 1 条候选7130SA55PFI8
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- 7130LA25PFGI8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号
查看详情 · 1 条候选71321LA25PFI8
Renesas Electronics Corporation
- 71321LA25PFGI8Renesas Electronics Corporation直接替代候选
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
TGA2512
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 5～15 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 13 dBm、增益 27 dB。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierTGA2512-1-SM
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 4～14.2 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 6 dBm、增益 25 dB，采用 QFN-13 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierTGA2512-1-SM T/R
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 4～14.2 GHz、类型 Balanced LNA、1 dB 压缩点（P1dB） 6 dBm、增益 22 dB，采用 QFN-13 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierTGA2512-2-SM
Qorvo
主要参数包括工作频率 4～14 GHz、增益 25 dB、噪声系数（NF） 2.3 dB、型号别名 1028121。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierTGA2514
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 8 V、电源电压（最大值） 9 V、工作频率 13～18 GHz、测试频率 13～18 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier，采用 2.87 mm x 3.9 mm 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierTGA2514N-FL
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 8 V、工作频率 13～16 GHz、技术 GaAs、类型 Ku-Band Amplifier、增益 24 dB，采用 11.379 mm x 17.323 mm x 3.048 mm 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierTGA2519-SG
Qorvo
主要参数包括型号别名 1056327。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierTGA2521-SM
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 17～24 GHz、技术 硅、类型 Linear Driver Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 23.5 dBm，采用 QFN-16 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierTGA2521-SM-T/R
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 17～24 GHz、测试频率 17～24 GHz、类型 Power Amplifier，采用 QFN-16 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierTGA2522-SM
Qorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、工作频率 17～24 GHz、技术 硅、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 27 dBm，采用 QFN-16 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier