24AA256T/SM
Microchip Technology
- 24AA256/SMMicrochip Technology直接替代候选
28 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| FJ2500049Q | Diodes Incorporated |
| 2025-08-22 | 查看资料 |
| HX31250035 | Diodes Incorporated |
| 2025-06-16 | 查看资料 |
| HX2125004Q | Diodes Incorporated |
| 2024-11-14 | 查看资料 |
| FJ2500011 | Diodes Incorporated |
| 2024-06-25 | 查看资料 |
| FK2500042 | Diodes Incorporated |
| 2024-06-25 | 查看资料 |
| FK2500054 | Diodes Incorporated |
| 2024-06-25 | 查看资料 |
| HX21250020 | Diodes Incorporated |
| 2024-06-25 | 查看资料 |
| HX3125021Q | Diodes Incorporated |
| 2024-06-25 | 查看资料 |
| HX3125025Z | Diodes Incorporated |
| 2024-06-25 | 查看资料 |
| 7130SA55CM | Renesas |
| 2023-12-05 | 查看资料 |
| NLAS3899BMNTBG | onsemi |
| 2023-10-02 | 查看资料 |
| NLAS3899BMNTWG | onsemi |
| 2023-10-02 | 查看资料 |
| NLAS3899BMNTXG | onsemi |
| 2023-10-02 | 查看资料 |
| 71256SA25PZG | Renesas |
| 2023-05-18 | 查看资料 |
| 71256SA25PZG8 | Renesas |
| 2023-05-18 | 查看资料 |
| 71256SA25PZGI | Renesas |
| 2023-05-18 | 查看资料 |
| 71256SA25PZGI8 | Renesas |
| 2023-05-18 | 查看资料 |
| 71256SA25YG | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 71256SA25YG8 | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| KA258ADTF | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| VS-HFA25PB60PBF | Vishay |
| 2019-09-14 | 查看资料 |
| 0W463-002-XDI | onsemi |
| 查看资料 | |
| CG9059AM | Infineon |
| 查看资料 | |
| CG9059AMT | Infineon |
| 查看资料 | |
| CY14B101LA-SZ25XI | Infineon |
| 查看资料 | |
| CY14B101LA-SZ25XIT | Infineon |
| 查看资料 | |
| ESDA25B1 | STMicroelectronics |
| 查看资料 | |
| OPA241PA | Texas Instruments |
| 查看资料 |
来源:第三方数据源非原厂公告
Microchip Technology
Microchip Technology
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Renesas Electronics Corporation
Renesas Electronics Corporation
Renesas Electronics Corporation
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Renesas Electronics Corporation
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
STMicroelectronics
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 1.2 kV、集电极-发射极饱和电压 1.6 V、最大栅射电压 20 V、25°C 时连续集电极电流 50 A,采用 TO247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT TransistorsSTMicroelectronics
该型号为32 位微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 64 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 96 kB、输入/输出数 26 个输入/输出、定时器/计数器数 4 x 16 bit, 1 x 32 bit、ADC 通道数 6 个通道,采用 UFQFPN-48 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUSTMicroelectronics
该型号为32 位微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 64 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 96 kB、输入/输出数 26 个输入/输出、定时器/计数器数 4 x 16 bit, 1 x 32 bit、ADC 通道数 6 个通道,采用 UFQFPN-48 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUSTMicroelectronics
该型号为32 位微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 64 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 96 kB、输入/输出数 26 个输入/输出、定时器/计数器数 4 x 16 bit, 1 x 32 bit、ADC 通道数 6 个通道,采用 UFQFPN-48 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUSTMicroelectronics
该型号为32 位微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 64 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 96 kB、输入/输出数 26 个输入/输出、定时器/计数器数 4 x 16 bit, 1 x 32 bit、ADC 通道数 6 个通道,采用 UFQFPN-48 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUSTMicroelectronics
该型号为32 位微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 64 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 96 kB、输入/输出数 15 个输入/输出、定时器/计数器数 4 x 16 bit, 1 x 32 bit、ADC 通道数 3 个通道,采用 WLCSP-41 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUSTMicroelectronics
该型号为32 位微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 64 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 96 kB、输入/输出数 15 个输入/输出、定时器/计数器数 4 x 16 bit, 1 x 32 bit、ADC 通道数 3 个通道,采用 WLCSP-41 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUInfineon Technologies
该型号为32 位微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 300 MHz、程序存储容量 16 MB、数据 RAM 容量 64 kB、定时器/计数器数 12 个定时器、接口类型 CAN, I2C, QSPI、数据 RAM 类型 SRAM,采用 LFBGA-292 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUQorvo
主要参数包括工作电源电压 7 V、电源电压(最大值) 8 V、工作频率 13~17 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 34 dBm。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQorvo
主要参数包括工作电源电压 12 V、工作频率 2~22 GHz、测试频率 2~22 GHz、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 28.5 dBm、增益 17 dB,采用 Die 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier