原型号
查看详情 · 3 条候选LD29300D2M50
STMicroelectronics
- MIC29150-5.0WUMicrochip Technology相似型号
搜索结果
原厂资料
18 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| VC-806-HDE-FAAN-212M500000 | Microchip |
| 2023-06-06 | 查看资料 |
| VCC6-LCF-212M500000 | Microchip |
| 2023-06-06 | 查看资料 |
| FM5000002 | Diodes Incorporated |
| 2023-03-30 | 查看资料 |
| FSAM50SM60A | onsemi |
| 2021-04-08 | 查看资料 |
| STK5F1U3E3D-E | onsemi |
| 2021-01-29 | 查看资料 |
| AD5161BRM50 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5161BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5173BRM50 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5173BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5243BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2012-04-19 | 查看资料 |
| LM5025DMTC/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5025DMTCX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027AMH/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027AMHX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027ASQ/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5035DMHX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5037MT/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5037MTX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 20 条候选LD2982BM50R
STMicroelectronics
- LD2980ABM50TRSTMicroelectronics参数相近
原型号
查看详情 · 24 条候选LD2985BM50R
STMicroelectronics
- LP2985IM5X-5.0/NOPBTexas Instruments直接替代候选
原型号
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Lattice Semiconductor Corporation
- LFE2M50E-6FN484CLattice Semiconductor Corporation相似型号
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Lattice Semiconductor Corporation
- LFE2M50E-7FN484CLattice Semiconductor Corporation直接替代候选
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Lattice Semiconductor Corporation
- LFE2M50SE-6FN672CLattice Semiconductor Corporation直接替代候选
原型号
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Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Texas Instruments
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Texas Instruments
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
SM5059
Diotec Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-213AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersSM5060
Diotec Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 400 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-213AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersSM5061
Diotec Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-213AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersSM5062
Diotec Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-213AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersSM5063
Diotec Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 1 kV、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-213AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersSQM50020EL_GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 120 A，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSQM50028EM_GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 120 A、漏源导通电阻（Rds On） 2 mOhms，采用 TO-263-7 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSQM50034EL_GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 100 A、漏源导通电阻（Rds On） 3.2 mOhms，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSQM50034E_GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 100 A，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSQM50N04-4m0L_GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 50 A，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET