原型号
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Infineon Technologies
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- CY7C1041G30-10ZSXIInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐
搜索结果
原厂资料
7 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| PI7C9X20303ULAZPEX | Diodes Incorporated |
| 2026-01-22 | 查看资料 |
| IHCM2321AAEG301N10 | Vishay |
| 2025-09-11 | 查看资料 |
| G30H150CTFW | Diodes Incorporated |
| 2022-08-29 | 查看资料 |
| G30H150CTW | Diodes Incorporated |
| 2022-08-29 | 查看资料 |
| RHRG1560CC-F085 | onsemi |
| 2021-04-08 | 查看资料 |
| CG10167AA | Infineon |
| 查看资料 | |
| CG10167AAT | Infineon |
| 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 1 条候选CY62162G30-45BGXIT
Infineon Technologies
- CY62162G18-55BGXITInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐
原型号
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Infineon Technologies
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原型号
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Infineon Technologies
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原型号
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Infineon Technologies
- CY7S1061GE30-10ZXITInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐
原型号
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Vishay Siliconix
- DG300ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号
原型号
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Vishay Siliconix
- DG302AAK/883BAnalog Devices Inc./Maxim Integrated直接替代候选
原型号
查看详情 · 1 条候选DG307AAK/883
Vishay Siliconix
- DG307ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号
原型号
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Vishay Siliconix
- DG408DQ-T1-E3Vishay Siliconix第三方标注：厂商推荐
原型号
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Vishay Siliconix
- DG308BDY-E3Vishay Siliconix参数相近
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
SIMG301M104LGHB0R
Silicon Labs
主要参数包括最大时钟频率 150 MHz、程序存储容量 4 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 20 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V，采用 QFN-32 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF System on a Chip - SoCSIMG301M104LGLB0
Silicon Labs
主要参数包括最大时钟频率 150 MHz、程序存储容量 4 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 20 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V，采用 QFN-40 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF System on a Chip - SoCSIMG301M104LGLB0R
Silicon Labs
主要参数包括最大时钟频率 150 MHz、程序存储容量 4 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 20 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V，采用 QFN-40 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF System on a Chip - SoCSMG30
MACOM
该型号为衰减器，主要参数包括原产国家或地区 TH。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > 衰减器TCR15AG30,LF
Toshiba
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 3 V、输出电流 1.5 A、输出类型 Fixed、类型 CMOS、输出数 1 Output、极性 Positive，采用 WCSP-6F-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsTCR2DG30,LF
Toshiba
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 3 V、输出电流 100 mA、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、静态电流 70 uA、输入电压（最大值） 5.5 V，采用 WCSP-4 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsTCR3DG30,LF
Toshiba
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 3 V、输出电流 300 mA、输出类型 Fixed、类型 CMOS、输出数 1 Output、极性 Positive，采用 WCSP-4E-4 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsTCR3UG30A,LF
Toshiba
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 3 V、输出电流 300 mA、输出类型 Fixed、类型 CMOS、输出数 1 Output、极性 Positive，采用 WCSP-4F-4 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsTCR4DG30,LF
Toshiba
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 3 V、输出电流 420 mA、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、输入电压（最大值） 5.5 V、输入电压（最小值） 3.221 V，采用 WCSP4E 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsTPS3808G30DBVR
Texas Instruments
主要参数包括电源电压（最大值） 6.5 V、电源电压（最小值） 1.8 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、类型 Voltage Supervisory、输出类型 Active-low,Open-drain、阈值电压 3 V，采用 SOT-23-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits