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原厂资料

28 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
FJ2500049QDiodes Incorporated
  • HX2A25015Q
2025-08-22查看资料
HX31250035Diodes Incorporated
  • HX3A25013J
2025-06-16查看资料
HX2125004QDiodes Incorporated
  • HX2A25004Q
2024-11-14查看资料
FJ2500011Diodes Incorporated
  • HX2A250003
2024-06-25查看资料
FK2500042Diodes Incorporated
  • HX3A250004
2024-06-25查看资料
FK2500054Diodes Incorporated
  • HX3A250002
2024-06-25查看资料
HX21250020Diodes Incorporated
  • HX2A250006
2024-06-25查看资料
HX3125021QDiodes Incorporated
  • HX3A25006Q
2024-06-25查看资料
HX3125025ZDiodes Incorporated
  • HX3A25005Z
2024-06-25查看资料
7130SA55CMRenesas
  • 7130LA25PFGI
2023-12-05查看资料
NLAS3899BMNTBGonsemi
  • FSA2567UMX
2023-10-02查看资料
NLAS3899BMNTWGonsemi
  • FSA2567MPX
2023-10-02查看资料
NLAS3899BMNTXGonsemi
  • FSA2567MPX
2023-10-02查看资料
71256SA25PZGRenesas
  • 71256SA20TPG
2023-05-18查看资料
71256SA25PZG8Renesas
  • 71256SA20TPG
2023-05-18查看资料
71256SA25PZGIRenesas
  • 71256SA20TPG
2023-05-18查看资料
71256SA25PZGI8Renesas
  • 71256SA20TPG
2023-05-18查看资料
71256SA25YGRenesas
  • 71256SA25PZGI
2022-02-28查看资料
71256SA25YG8Renesas
  • 71256SA25PZGI8
2022-02-28查看资料
KA258ADTFonsemi
  • LM258DR2G
2019-11-04查看资料
VS-HFA25PB60PBFVishay
  • VS-HFA25PB60-N3
2019-09-14查看资料
0W463-002-XDIonsemi
  • CAT25A256DTR
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CG9059AMInfineon
  • CY14B101LA-BA25XI
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CG9059AMTInfineon
  • CY14B101LA-BA25XIT
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CY14B101LA-SZ25XIInfineon
  • CY14B101LA-BA25XI
查看资料
CY14B101LA-SZ25XITInfineon
  • CY14B101LA-BA25XIT
查看资料
ESDA25B1STMicroelectronics
  • ESDA25SC6Y
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OPA241PATexas Instruments
  • OPA241UA/2K5
  • OPA251UA/2K5
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

128 个原型号
原型号

24AA256T/SM

Microchip Technology

查看详情 · 10 条候选
  • 24AA256/SMMicrochip Technology直接替代候选
原型号

24FC256-I/ST

Microchip Technology

查看详情 · 6 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 24AA256UID-I/STMicrochip Technology相似型号
原型号

6116LA20SOGI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 6116LA25SOGI8Renesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71256SA25YG

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 10 条候选
  • AS7C256A-10JCNAlliance Memory, Inc.相似型号
原型号

7130LA25JGI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 71342LA25PFGIRenesas Electronics Corporation第三方标注：厂商推荐
原型号

7130LA25TFI

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 7130LA25TFGIRenesas Electronics Corporation直接替代候选
原型号

7130SA35JI

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 7130LA25JGIRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

7130SA55JI

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 7130LA25JGIRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

7130SA55PFI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 7130LA25PFGI8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

71321LA25PFI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 71321LA25PFGI8Renesas Electronics Corporation直接替代候选

技术资料参考

芯片技术资料

960 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

SIHA25N60EFL-E3

Vishay / Siliconix

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 25 A、漏源导通电阻（Rds On） 127 mOhms，采用 TO-220FP-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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SMA25-1

MACOM

RF Amplifier 2-1500MHz NF 3.4dB Gain 13.5dB

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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SPC5674KAVMM2

NXP / Freescale

该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、型号别名 935325971557、单件重量 0.014364 oz。

半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCU
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SPC5674KAVMM2

NXP Semiconductors

该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、型号别名 935325971557、单件重量 0.014364 oz。

半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCU
查看技术资料

SPC5674KAVMM2R

NXP / Freescale

该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、型号别名 935325971518、单件重量 0.014364 oz。

半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCU
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SPC5674KAVMM2R

NXP Semiconductors

该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、型号别名 935325971518、单件重量 0.014364 oz。

半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCU
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STGWA25H120DF2

STMicroelectronics

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、集电极－发射极饱和电压 2.5 V、最大栅射电压 20 V、25°C 时连续集电极电流 50 A。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Transistors
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STGWA25H120F2

STMicroelectronics

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、集电极－发射极饱和电压 2.5 V、最大栅射电压 20 V、25°C 时连续集电极电流 50 A。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Transistors
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STGWA25IH135DF2

STMicroelectronics

主要参数包括原产国家或地区 SG、单件重量 0.215171 oz。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTs
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STGWA25M120DF3

STMicroelectronics

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、集电极－发射极饱和电压 1.85 V、最大栅射电压 20 V、25°C 时连续集电极电流 50 A，采用 TO-247-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Transistors
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