原型号
查看详情 · 3 条候选LD29300D2M50
STMicroelectronics
- MIC29150-5.0WUMicrochip Technology相似型号
搜索结果
原厂资料
18 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| VC-806-HDE-FAAN-212M500000 | Microchip |
| 2023-06-06 | 查看资料 |
| VCC6-LCF-212M500000 | Microchip |
| 2023-06-06 | 查看资料 |
| FM5000002 | Diodes Incorporated |
| 2023-03-30 | 查看资料 |
| FSAM50SM60A | onsemi |
| 2021-04-08 | 查看资料 |
| STK5F1U3E3D-E | onsemi |
| 2021-01-29 | 查看资料 |
| AD5161BRM50 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5161BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5173BRM50 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5173BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5243BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2012-04-19 | 查看资料 |
| LM5025DMTC/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5025DMTCX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027AMH/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027AMHX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027ASQ/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5035DMHX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5037MT/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5037MTX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 20 条候选LD2982BM50R
STMicroelectronics
- LD2980ABM50TRSTMicroelectronics参数相近
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STMicroelectronics
- LP2985IM5X-5.0/NOPBTexas Instruments直接替代候选
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Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
- LFE2M50E-7FN484CLattice Semiconductor Corporation直接替代候选
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Lattice Semiconductor Corporation
- LFE2M50SE-6FN672CLattice Semiconductor Corporation直接替代候选
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Texas Instruments
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
S-8356M50MC-MFJT2U
ABLIC
主要参数包括输出电压 5 V、输出电流 54.8 mA、开关频率 300 kHz、输出数 1 Output、占空比（最大值） 78 %、输入电压 0.9～10 V，采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching ControllersSBRT10M50SP5-13
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、重复反向电压（Vrrm） 50 V、正向电压（Vf） 0.42 V、正向浪涌电流（Ifsm） 300 A，采用 PowerDI5-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBRT10M50SP5-13D
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、重复反向电压（Vrrm） 50 V、正向电压（Vf） 0.42 V、正向浪涌电流（Ifsm） 300 A，采用 PowerDI5-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBRT15M50AP5-13
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、商品名称 PowerDI，采用 PowerDI5-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBRT15M50AP5-13D
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、类型 Trench Super Barrier Rectifier、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 15 A、重复反向电压（Vrrm） 50 V、正向电压（Vf） 470 mV，采用 PowerDI5-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBRT15M50AP5-7
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、商品名称 SBRT15，采用 PowerDI5-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBRT15M50AP5-7D
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、商品名称 SBRT15，采用 PowerDI5-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBRT25M50SLP-13
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、类型 Trench Super Barrier Rectifier、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 25 A、重复反向电压（Vrrm） 50 V、正向电压（Vf） 550 mV，采用 PowerDI5060-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSM320C32PCMM50EP
Texas Instruments
主要参数包括最大时钟频率 50 MHz、数据 RAM 容量 2 kB、工作电源电压 5 V、指令类型 Floating Point、产品 DSPs、最小工作温度 - 55 C，采用 QFP-144 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Digital Signal Processors & Controllers - DSP, DSCSM50
Semtech
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 5 kV、正向电流（If） 300 mA、配置 Single、正向电压（Vf） 10 V、最大浪涌电流 25 A。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers