ChipSourceHub 美芯科技

搜索结果

原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
PI7C9X20303ULAZPEX	Diodes Incorporated	PI7C9X2G304EVAZXAEX	2026-01-22	查看资料
IHCM2321AAEG301N10	Vishay	ICMS2321AGEG281N10	2025-09-11	查看资料
G30H150CTFW	Diodes Incorporated	SDT30150GCTSP	2022-08-29	查看资料
G30H150CTW	Diodes Incorporated	SDT30150GCT	2022-08-29	查看资料
RHRG1560CC-F085	onsemi	RURG3060CC-F085	2021-04-08	查看资料
CG10167AA	Infineon	CY62147G30-45BVXA		查看资料
CG10167AAT	Infineon	CY62147G30-45BVXA		查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

26 个原型号

原型号

CG8556AA

Infineon Technologies

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

CY7C1041G30-10ZSXIInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐

原型号

CY62162G30-45BGXIT

Infineon Technologies

查看详情 · 1 条候选

CY62162G18-55BGXITInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐

原型号

CY7C10612GE30-10ZSXI

Infineon Technologies

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

CY7C10612G30-10ZSXIInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐

原型号

CY7S1041G30-10VXI

Infineon Technologies

查看详情 · 1 条候选

AS7C34098A-10JINAlliance Memory, Inc.相似型号

原型号

CY7S1061G30-10ZXIT

Infineon Technologies

查看详情 · 1 条候选

CY7S1061GE30-10ZXITInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐

原型号

DG300BDJ

Vishay Siliconix

查看详情 · 1 条候选

DG300ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号

原型号

DG302AAK/883

Vishay Siliconix

查看详情 · 2 条候选

DG302AAK/883BAnalog Devices Inc./Maxim Integrated直接替代候选

原型号

DG307AAK/883

Vishay Siliconix

查看详情 · 1 条候选

DG307ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号

原型号

DG308BDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

查看详情 · 11 条候选

DG408DQ-T1-E3Vishay Siliconix第三方标注：厂商推荐

原型号

DG308BDY

Vishay Siliconix

查看详情 · 8 条候选

DG308BDY-E3Vishay Siliconix参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

765 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

SIBG301M114KGHB0

Silicon Labs

主要参数包括最大时钟频率 150 MHz、程序存储容量 2 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 17 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V，采用 QFN-32 封装。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF System on a Chip - SoC

查看技术资料

SIBG301M114KGHB0R

Silicon Labs

主要参数包括最大时钟频率 150 MHz、程序存储容量 2 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 17 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V，采用 QFN-32 封装。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF System on a Chip - SoC

查看技术资料

SIBG301M114KIHB0

Silicon Labs

主要参数包括最大时钟频率 150 MHz、程序存储容量 2 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 17 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V，采用 QFN-32 封装。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF System on a Chip - SoC

查看技术资料

SIBG301M114KIHB0R

Silicon Labs

主要参数包括最大时钟频率 150 MHz、程序存储容量 2 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 17 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V，采用 QFN-32 封装。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF System on a Chip - SoC

查看技术资料

SIHG30N60AEL-GE3

Vishay / Siliconix

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 600 V、连续漏极电流（Id） 28 A、漏源导通电阻（Rds On） 120 mOhms，采用 TO-247AC-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

查看技术资料

SIHG30N60E-E3

Vishay / Siliconix

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 600 V、连续漏极电流（Id） 29 A、漏源导通电阻（Rds On） 125 mOhms，采用 TO-247AC-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

查看技术资料

SIHG30N60E-GE3

Vishay / Siliconix

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 600 V、连续漏极电流（Id） 29 A、漏源导通电阻（Rds On） 125 mOhms，采用 TO-247AC-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

查看技术资料

SIMG301M103LIHB0

Silicon Labs

主要参数包括最大时钟频率 150 MHz、程序存储容量 4 MB、数据 RAM 容量 384 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 20 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V，采用 QFN-32 封装。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF System on a Chip - SoC

查看技术资料

SIMG301M103LIHB0R

Silicon Labs

主要参数包括最大时钟频率 150 MHz、程序存储容量 4 MB、数据 RAM 容量 384 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 20 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V，采用 QFN-32 封装。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF System on a Chip - SoC

查看技术资料

SIMG301M104LGHB0

Silicon Labs

主要参数包括最大时钟频率 150 MHz、程序存储容量 4 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 20 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V，采用 QFN-32 封装。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF System on a Chip - SoC

查看技术资料