LD29300D2M50
STMicroelectronics
- MIC29150-5.0WUMicrochip Technology相似型号
18 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| VC-806-HDE-FAAN-212M500000 | Microchip |
| 2023-06-06 | 查看资料 |
| VCC6-LCF-212M500000 | Microchip |
| 2023-06-06 | 查看资料 |
| FM5000002 | Diodes Incorporated |
| 2023-03-30 | 查看资料 |
| FSAM50SM60A | onsemi |
| 2021-04-08 | 查看资料 |
| STK5F1U3E3D-E | onsemi |
| 2021-01-29 | 查看资料 |
| AD5161BRM50 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5161BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5173BRM50 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5173BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5243BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2012-04-19 | 查看资料 |
| LM5025DMTC/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5025DMTCX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027AMH/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027AMHX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027ASQ/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5035DMHX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5037MT/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5037MTX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 |
来源:第三方数据源非原厂公告
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
Lattice Semiconductor Corporation
Lattice Semiconductor Corporation
Lattice Semiconductor Corporation
Lattice Semiconductor Corporation
Lattice Semiconductor Corporation
Texas Instruments
Texas Instruments
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Vicor
该型号为开关稳压器,主要参数包括输出电压 48 V、输出电流 10.42 A、开关频率 1.03 MHz、类型 High Efficiency Converter、输出数 1 Output、输入电压(最大值) 55 V。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Voltage RegulatorsVicor
该型号为开关稳压器,主要参数包括输出电压 48 V、输出电流 10.42 A、开关频率 1.03 MHz、类型 High Efficiency Converter、输出数 1 Output、输入电压(最大值) 55 V。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Voltage RegulatorsRectron
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 150 V、连续漏极电流(Id) 50 A,采用 DFN-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETRectron
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 60 V、连续漏极电流(Id) 35 A,采用 DFN-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETRectron
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 60 V、连续漏极电流(Id) 50 A,采用 TO-252-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETRectron
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压(Vds) 30 V、连续漏极电流(Id) 50 A,采用 DFN-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETRectron
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsABLIC
主要参数包括输出电压 5 V、输出数 1 Output、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 日本、单件重量 0.000282 oz,采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching ControllersABLIC
主要参数包括输出电压 5 V、输出数 1 Output、输入电压 10 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、单件重量 0.000282 oz,采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching ControllersABLIC
主要参数包括输出电压 5 V、输出电流 54.8 mA、开关频率 300 kHz、输出数 1 Output、占空比(最大值) 78 %、输入电压 0.9~10 V,采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Controllers