原型号
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Infineon Technologies
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- CY7C1041G30-10ZSXIInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐
搜索结果
原厂资料
7 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| PI7C9X20303ULAZPEX | Diodes Incorporated |
| 2026-01-22 | 查看资料 |
| IHCM2321AAEG301N10 | Vishay |
| 2025-09-11 | 查看资料 |
| G30H150CTFW | Diodes Incorporated |
| 2022-08-29 | 查看资料 |
| G30H150CTW | Diodes Incorporated |
| 2022-08-29 | 查看资料 |
| RHRG1560CC-F085 | onsemi |
| 2021-04-08 | 查看资料 |
| CG10167AA | Infineon |
| 查看资料 | |
| CG10167AAT | Infineon |
| 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 1 条候选CY62162G30-45BGXIT
Infineon Technologies
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原型号
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
SIBG301M104LGHB0
Silicon Labs
主要参数包括最大时钟频率 150 MHz、程序存储容量 4 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 20 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V，采用 QFN-32 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF System on a Chip - SoCSIBG301M104LGHB0R
Silicon Labs
主要参数包括最大时钟频率 150 MHz、程序存储容量 4 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 20 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V，采用 QFN-32 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF System on a Chip - SoCSIBG301M104LGLB0
Silicon Labs
主要参数包括最大时钟频率 150 MHz、程序存储容量 4 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 28 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V，采用 QFN-40 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF System on a Chip - SoCSIBG301M104LGLB0R
Silicon Labs
主要参数包括最大时钟频率 150 MHz、程序存储容量 4 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 28 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V，采用 QFN-40 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF System on a Chip - SoCSIBG301M104LIHB0
Silicon Labs
主要参数包括最大时钟频率 150 MHz、程序存储容量 4 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 20 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V，采用 QFN-32 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF System on a Chip - SoCSIBG301M104LIHB0R
Silicon Labs
主要参数包括最大时钟频率 150 MHz、程序存储容量 4 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 20 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V，采用 QFN-32 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF System on a Chip - SoCSIBG301M104LILB0
Silicon Labs
主要参数包括最大时钟频率 150 MHz、程序存储容量 4 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 28 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V，采用 QFN-40 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF System on a Chip - SoCSIBG301M104LILB0R
Silicon Labs
主要参数包括最大时钟频率 150 MHz、程序存储容量 4 MB、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 28 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V，采用 QFN-40 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF System on a Chip - SoCSIBG301M104XILB0
Silicon Labs
主要参数包括最大时钟频率 150 MHz、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 22 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 3.63 V，采用 QFN-40 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF System on a Chip - SoCSIBG301M104XILB0R
Silicon Labs
主要参数包括最大时钟频率 150 MHz、数据 RAM 容量 512 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 22 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 3.63 V，采用 QFN-40 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF System on a Chip - SoC