原型号
查看详情 · 25 条候选24AA32AFT-I/ST
Microchip Technology
- 24AA32AF-I/STMicrochip Technology直接替代候选
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共 1 条公开现货参考记录
显示 1–1 条| 料号 | 品牌 | D/C | 数量 | 询价 |
|---|---|---|---|---|
| ATMEGA32A-AU | Microchip | 22+ | 2,100 | 提交询价 |
页面信息用于参考，实际可供、批次、包装与交付资料以项目沟通确认结果为准。
原厂资料
10 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| ATMEGA32-16AUA3 | Microchip |
| 2023-05-16 | 查看资料 |
| SA3229-E1 | onsemi |
| 2021-04-08 | 查看资料 |
| SA3229-E1-T | onsemi |
| 2021-04-08 | 查看资料 |
| NRVBA320T3G | onsemi |
| 2020-02-21 | 查看资料 |
| KA324 | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| KA324A | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| KA324ADTF | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| VS-HFA32PA120CPBF | Vishay |
| 2019-09-14 | 查看资料 |
| LC87F1A32A-F5AR0-E | onsemi |
| 查看资料 | |
| LC87F1A32A-F5BP4-E | onsemi |
| 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
FMWGA3221
Fairview Microwave
主要参数包括工作电源电压 5～10 V、工作频率 92～96 GHz、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 5.5 A、增益 24 dB、1 dB 压缩点（P1dB） 29 dBm。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierFQA32N20C
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 200 V，采用 TO-3PN-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETFSA321UMX
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.8～4.3 V、电源电压（最大值） 4.3 V、电源电压（最小值） 1.8 V、产品 USB 2.0, Audio Switches、配置 1 x DPDT、导通电阻（最大值） 11 Ω，采用 UMLP-10 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > USB Switch ICsINA321E/250
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 5.5 V、增益带宽积（GBP） 500 kHz、共模抑制比（CMRR） 90 dB，采用 VSSOP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation AmplifiersINA321E/250G4
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 5.5 V、增益带宽积（GBP） 500 kHz、共模抑制比（CMRR） 90 dB，采用 VSSOP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation AmplifiersINA321E/2K5
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 5.5 V、增益带宽积（GBP） 500 kHz、共模抑制比（CMRR） 90 dB，采用 VSSOP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation AmplifiersINA321E/2K5G4
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 5.5 V、增益带宽积（GBP） 500 kHz、共模抑制比（CMRR） 90 dB，采用 VSSOP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation AmplifiersINA321EA/250
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 5.5 V、增益带宽积（GBP） 500 kHz、共模抑制比（CMRR） 90 dB，采用 VSSOP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation AmplifiersINA321EA/250G4
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 5.5 V、共模抑制比（CMRR） 90 dB、输入偏置电流（Ib） 10 pA，采用 VSSOP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation AmplifiersINA321EA/2K5
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、工作电源电压 5.5 V、增益带宽积（GBP） 500 kHz、共模抑制比（CMRR） 90 dB，采用 VSSOP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers