SZMM3Z22VST1G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 22 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 2 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、稳压管阻抗（Zz） 55 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323-2 封装。
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SZMM3Z27VST1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 27.53 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压温度系数 21.4 mV/K to 25.3 mV/K、稳压管电流 50 nA、稳压管阻抗（Zz） 80 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesSZMM3Z27VST1G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 27.53 V、耗散功率（Pd） 300 mW、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、稳压管阻抗（Zz） 80 Ω、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesSZMM3Z36VST1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesSZMM3Z36VST1G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 36.87 V、耗散功率（Pd） 300 mW、稳压管阻抗（Zz） 90 Ω、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesSZMM5Z12VST1G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 12.24 V、耗散功率（Pd） 500 mW、最大反向漏电流（Ir） 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 25 Ω、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-523-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesSZMM5Z12VST5G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 12.24 V、耗散功率（Pd） 500 mW、最大反向漏电流（Ir） 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 25 Ω、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-523-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesSZNZ9F10VST5G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 10.21 V、耗散功率（Pd） 250 mW、最大反向漏电流（Ir） 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 30 Ω、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 +150 C，采用 SOD-923-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesSZNZ9F18VST5G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 18 V、耗散功率（Pd） 250 mW、最大反向漏电流（Ir） 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 50 Ω、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-923-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesTPS65320BQPWPRQ1
Texas Instruments
该型号为开关稳压器，主要参数包括认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、单件重量 0.004949 oz，采用 HTSSOP-14 封装。
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