技术资料参考
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Infineon Technologies
该型号为微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 48 MHz、程序存储容量 128 kB、数据 RAM 容量 16 kB、输入／输出数 54 个输入／输出、定时器／计数器数 8 x 16 bit、电源电压（最小值） 1.8 V，采用 WQFN-64 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > ARM Microcontrollers - MCUIXYS
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 80 A、重复反向电压（Vrrm） 8 V、正向电压（Vf） 0.34 V，采用 TO-247 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersLittelfuse
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Single、正向电流（If） 80 A、重复反向电压（Vrrm） 8 V、正向电压（Vf） 340 mV，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersDiodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV，采用 SOT-323-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTDiodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-563-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTDiodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 60 mV，采用 SOT-26-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTDiodes Incorporated
该型号为晶体管。
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该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTDiodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 280 mV，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTDiodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT