原型号
查看详情 · 1 条候选ADC0808S250HW/C1:1
NXP USA Inc.
- ADC0808S250HW/C1:5Renesas Electronics Corporation直接替代候选
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
DS2502P+T&R
Maxim Integrated
主要参数包括型号别名 90-2502V+000 DS2502P、单件重量 0.002928 oz，采用 TSOC-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EPROMDS2502P+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括原产国家或地区 菲律宾、型号别名 DS2502P 90-2502V+000、单件重量 0.002928 oz，采用 TSOC-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EPROMDS2502P-E48+
Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最大值） 6 V、电源电压（最小值） 2.8 V、工作电源电压 2.8～6 V、接口类型 1-Wire、类型 OTP，采用 TSOC-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EPROMDS2502P-E48+
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最大值） 6 V、电源电压（最小值） 2.8 V、工作电源电压 2.8～6 V、接口类型 1-Wire、类型 OTP，采用 TSOC-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EPROMDS2502P-E48+T&R
Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最大值） 6 V、电源电压（最小值） 2.8 V、工作电源电压 2.8～6 V、接口类型 1-Wire、类型 OTP，采用 TSOC-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EPROMDS2502P-E48+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 1 kbit、电源电压（最大值） 6 V、电源电压（最小值） 2.8 V、工作电源电压 2.8～6 V、接口类型 1-Wire、类型 OTP，采用 TSOC-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EPROMDS2502P-E64+
Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 768 位、电源电压（最大值） 6 V、电源电压（最小值） 2.8 V、接口类型 1-Wire、类型 OTP、最小工作温度 - 40 C，采用 TSOC-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EPROMDS2502P-E64+
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 768 位、电源电压（最大值） 6 V、电源电压（最小值） 2.8 V、接口类型 1-Wire、类型 OTP、最小工作温度 - 40 C，采用 TSOC-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Memory ICs > EPROMDS2502R+T&R
Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 1024 位、电源电压（最大值） 12 V、电源电压（最小值） 2.8 V、存储组织结构 1 k x 1、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > Memory ICs > EPROMDS2502R+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 1024 位、电源电压（最大值） 12 V、电源电压（最小值） 2.8 V、存储组织结构 1 k x 1、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > Memory ICs > EPROM