HS1DLW RQG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 175 C、类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V，采用 SOD-123W-2 封装。
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HS1DLW RVG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 175 C、类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V，采用 SOD-123W-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS1DLWHRQG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 175 C、类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V，采用 SOD-123W-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersHS1DLWHRVG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 175 C、类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V，采用 SOD-123W-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1DL
Taiwan Semiconductor
主要参数包括产品 Rectifiers、型号别名 R3G RS1DL、单件重量 0.000670 oz，采用 Sub-SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1DL R2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 800 mA、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-Sub-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1DL R2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 800 mA、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 Sub SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1DL R3
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 800 mA、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 Sub-SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1DL R3G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 800 mA、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 Sub SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1DL RFG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 0.8 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。
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