原型号
查看详情 · 14 条候选74LVC1G126GV-Q100H
Nexperia USA Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- BD7LS125G-CTLRohm Semiconductor参数相近
搜索结果
原厂资料
10 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 资料 |
|---|---|---|---|
| ADS1211E | Texas Instruments |
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| ADS1211E/1K | Texas Instruments |
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| ADS1211E/1KG4 | Texas Instruments |
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| ADS1211U | Texas Instruments |
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| ADS1211U/1K | Texas Instruments |
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| ADS1211UG4 | Texas Instruments |
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| ADS1213E | Texas Instruments |
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| ADS1213E/1K | Texas Instruments |
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| ADS1213U | Texas Instruments |
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| ADS1213U/1K | Texas Instruments |
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第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 2 条候选ADS1210U
Texas Instruments
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- ADS1255IDBRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号
查看详情 · 2 条候选ADS1210UG4
Texas Instruments
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- ADS1255IDBRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号
查看详情 · 2 条候选ADS1255IDBTG4
Texas Instruments
- ADS1255IDBTTexas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号
查看详情 · 1 条候选DM74ALS125MX
onsemi
- SN74LS125ADRTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选DS1250AB-100IND
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- DS1250AB-70IND+Analog Devices Inc./Maxim Integrated直接替代候选
原型号
查看详情 · 1 条候选DS1250AB-100IND+
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- DS1250AB-70IND+Analog Devices Inc./Maxim Integrated直接替代候选
原型号
查看详情 · 1 条候选DS1250AB-70IND
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- DS1250AB-70IND+Analog Devices Inc./Maxim Integrated直接替代候选
原型号
查看详情 · 11 条候选DS125BR800SQ/NOPB
Texas Instruments
- PI3EQX12908AZFEXDiodes Incorporated直接替代候选
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
DS1250W-100IND+
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 EDIP-32 封装。
半导体 > Memory ICs > NVRAMDS1250W-150+
Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Parallel、类型 NVSRAM，采用 EDIP-32 封装。
半导体 > Memory ICs > NVRAMDS1250WP-100+
Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Parallel、类型 NVSRAM，采用 PowerCap Module-34 封装。
半导体 > Memory ICs > NVRAMDS1250WP-100+
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 PowerCap Module-34 封装。
半导体 > Memory ICs > NVRAMDS1250WP-100IND+
Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 Parallel、类型 NVSRAM，采用 PowerCap Module-34 封装。
半导体 > Memory ICs > NVRAMDS1250Y-100+
Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、类型 NVSRAM，采用 EDIP-32 封装。
半导体 > Memory ICs > NVRAMDS1250Y-100+
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 EDIP-32 封装。
半导体 > Memory ICs > NVRAMDS1250Y-100IND+
Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、类型 NVSRAM，采用 EDIP-32 封装。
半导体 > Memory ICs > NVRAMDS1250Y-100IND+
Analog Devices / Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 512 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 EDIP-32 封装。
半导体 > Memory ICs > NVRAMDS1250Y-70+
Maxim Integrated
主要参数包括存储容量 4 Mbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、类型 NVSRAM，采用 EDIP-32 封装。
半导体 > Memory ICs > NVRAM