IM4G16D3FDBG-107
Intelligent Memory Ltd.
- AS4C256M16D3LC-10BCNAlliance Memory, Inc.参数相近
技术资料参考
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Taiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 180 V、耗散功率(Pd) 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 8 mA、稳压管阻抗(Zz) 900 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesTaiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 200 V、耗散功率(Pd) 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 7 mA、稳压管阻抗(Zz) 1200 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 SMB-2 封装。
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该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 200 V、耗散功率(Pd) 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 7 mA、稳压管阻抗(Zz) 1200 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 SMB-2 封装。
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该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 11 V、耗散功率(Pd) 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 136 mA、稳压管阻抗(Zz) 5.5 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 SMB-2 封装。
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该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 11 V、耗散功率(Pd) 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 136 mA、稳压管阻抗(Zz) 5.5 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 SMB-2 封装。
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该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 12 V、耗散功率(Pd) 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 125 mA、稳压管阻抗(Zz) 6.5 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 SMB-2 封装。
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该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 12 V、耗散功率(Pd) 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 125 mA、稳压管阻抗(Zz) 6.5 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 SMB-2 封装。
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该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 13 V、耗散功率(Pd) 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 115 mA、稳压管阻抗(Zz) 7 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 SMB-2 封装。
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该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 13 V、耗散功率(Pd) 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 115 mA、稳压管阻抗(Zz) 7 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 SMB-2 封装。
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该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 15 V、耗散功率(Pd) 3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 100 mA、稳压管阻抗(Zz) 9 Ω、最小工作温度 - 55 C,采用 SMB-2 封装。
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