FF4MR12W2M1HPB11BPSA1
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、类型 Half Bridge、栅源电压（Vgs） - 10 V, + 23 V、配置 Dual、原产国家或地区 AT、连续漏极电流（Id） 170 A。
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FF4MR20KM1HHPSA1
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、类型 Half Bridge、原产国家或地区 AT、商品名称 CoolSiC、型号别名 FF4MR20KM1H SP005349686。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor ModulesFF4MR20KM1HPHPSA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、类型 Half Bridge、原产国家或地区 AT、商品名称 CoolSiC、型号别名 FF4MR20KM1HP SP005727413。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET ModulesFF55MR12W1M1HB11BPSA1
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、类型 Half Bridge、组装国家或地区 德国、原产国家或地区 AT、商品名称 EasyDUAL CoolSiC、型号别名 FF55MR12W1M1H_B11 SP005634439。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor ModulesFF55MR12W1M1HB70BPSA1
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 AT、商品名称 EasyDUAL CoolSiC、型号别名 FF55MR12W1M1H_B70 SP005852782。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor ModulesFF5MR20KM1HHPSA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、类型 Half Bridge、原产国家或地区 HU、商品名称 CoolSiC、型号别名 FF5MR20KM1H SP005861795。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET ModulesFF5MR20KM1HPHPSA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、类型 Half Bridge、原产国家或地区 HU、商品名称 CoolSiC、型号别名 FF5MR20KM1HP SP005855004。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET ModulesFF5MR20KM1HSHPSA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、类型 MOSFET、漏源击穿电压（Vds） 2 kV、连续漏极电流（Id） 195 A、漏源导通电阻（Rds On） 8 mOhms、栅源电压（Vgs） - 10 V, + 23 V。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET ModulesFF6MR12KM1HHPSA1
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、类型 Half Bridge、组装国家或地区 HU、原产国家或地区 AT、商品名称 CoolSiC、型号别名 FF6MR12KM1H SP005861528。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor ModulesFF6MR12KM1HPHPSA1
Infineon Technologies
该型号为半导体器件，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 AT、商品名称 CoolSiC、型号别名 FF6MR12KM1HP SP005861603。
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