ES1JLHRUG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。
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ES1JLHRVG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES1JLW RQG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SOD-123W-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES1JLW RVG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SOD-123W-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES1JLWHRQG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SOD-123W-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES1JLWHRVG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SOD-123W-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES1JWF-HF
Comchip Technology
主要参数包括类型 Super Fast Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.68 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SOD-123FL-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES1J_R1_00001
Panjit
主要参数包括类型 Super Fast Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersAES1J-HF
Comchip Technology
主要参数包括类型 Super Fast Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersFES1JE
Diodes Incorporated
主要参数包括类型 Ultra Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.09 V、最大浪涌电流 30 A，采用 F1A-2 封装。
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