BCP56T3G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SOT-223-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT搜索结果
原厂资料
10 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| BCP56 | onsemi |
| 2019-04-12 | 查看资料 |
| BCP56-10T1G-IRH1 | onsemi |
| 2023-12-22 | 查看资料 |
| DCP54-13 | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| DCP54-16-13 | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| DCP55-13 | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| DCP55-16-13 | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| DCP56-13 | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| DCP56-16-13 | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| NZT6717 | onsemi |
| 2019-07-16 | 查看资料 |
| NZT6729 | onsemi |
| 2019-07-16 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
BCP56TA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV，采用 SOT-223-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBCP56TF
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV，采用 SOT-223-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBCP56TX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-223-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNSVBCP56-10T3G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-223-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNSVBCP56-10T3G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SOT-223-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNSVBCP5610MTWG
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 2 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 WDFNW-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNSVBCP56MTWG
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTSBCP56-10T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-223-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTSBCP56-10T1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 SOT-223-4 封装。
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