原型号
查看详情 · 1 条候选A8513KLYTR-3-T
Allegro MicroSystems
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- A80603KESJSRAllegro MicroSystems第三方标注：厂商推荐
搜索结果
原厂资料
8 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| VS-80RIA80PBF | Vishay |
| 2025-11-04 | 查看资料 |
| VS-81RIA80PBF | Vishay |
| 2025-11-04 | 查看资料 |
| GSIB6A80-E3/45 | Vishay |
| 2021-04-26 | 查看资料 |
| GSIB6A80N-M3/45 | Vishay |
| 2021-04-26 | 查看资料 |
| FSA8500UCX | onsemi |
| 2020-04-01 | 查看资料 |
| FSA805UMX | onsemi |
| 2019-07-16 | 查看资料 |
| TDA8020HL/C2,151 | NXP |
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| TDA8024T/C1,518 | NXP |
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第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 2 条候选IDT71V3557SA80BQI
Renesas Electronics Corporation
- 71V3556SA100BQIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号
查看详情 · 5 条候选IDT71V3577SA80BQGI
Renesas Electronics Corporation
- 71V35761SA166BQGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号
查看详情 · 3 条候选PEX8614-BA50BC G
Broadcom Limited
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- PEX8713-CA80BC GBroadcom Limited第三方标注：厂商推荐
原型号
查看详情 · 4 条候选S-1011E80-M6T1U4
ABLIC Inc.
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- S-1011A80-M6T1U4ABLIC Inc.参数相近
原型号
查看详情 · 7 条候选SPC5644AF0MVZ3
NXP USA Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- SPC564A80B4CFARSTMicroelectronics相似型号
原型号
查看详情 · 12 条候选SPC564A80B4COBY
STMicroelectronics
- SPC5644AF0MVZ2NXP USA Inc.直接替代候选
原型号
查看详情 · 5 条候选TA4808BF(T6L1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- BA80BC0FP-E2Rohm Semiconductor直接替代候选
原型号
查看详情 · 1 条候选TDA8029HL/C207,118
NXP USA Inc.
- PN7412AUHN/C300YNXP USA Inc.相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选TDA8029HL/C207,151
NXP USA Inc.
- PN7412AUHN/C300ENXP USA Inc.相似型号
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
CLA80MT1200NHR
IXYS
主要参数包括额定重复断态电压（VDRM） 1.2 kV、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 10 uA、通态有效值电流（It RMS） 70 A、正向电压（Vf） 1.3 V、门极触发电压（Vgt） 1.7 V、门极触发电流（Igt） 70 mA，采用 ISO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRsCMA80E1600HB
IXYS
主要参数包括额定重复断态电压（VDRM） 1.6 kV、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 50 uA、通态有效值电流（It RMS） 70 A、正向电压（Vf） 1.47 V、门极触发电压（Vgt） 1.4 V、门极触发电流（Igt） 80 mA，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRsCMA80MT1600NHB
IXYS
主要参数包括通态有效值电流（It RMS） 88 A、非重复通态电流 380 A、额定重复断态电压（VDRM） 1600 V、最大维持电流（Ih） 70 mA、门极触发电压（Vgt） 1.7 V、门极触发电流（Igt） 70 mA，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > TriacsCMA80MT1600NHR
IXYS
主要参数包括通态有效值电流（It RMS） 88 A、非重复通态电流 380 A、额定重复断态电压（VDRM） 1600 V、最大维持电流（Ih） 70 mA、门极触发电压（Vgt） 1.7 V、门极触发电流（Igt） 70 mA，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > TriacsCMA80PD1600NA
IXYS
SCR Modules Thyristor Module Phase Leg
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCR ModulesCMPA801B025F
Wolfspeed / Cree
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 8.5～11 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 45.8 dBm，采用 - 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierCMPA801B025F-TB
Wolfspeed / Cree
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 8.5～11 GHz、技术 氮化镓（GaN）、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 45.8 dBm，采用 - 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierD1UBA80-7062
Shindengen
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 30 A、最大工作温度 + 150 C，采用 SOPA- 4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersDB156G
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 800 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersDF100BA80
SanRex
该型号为二极管，主要参数包括输出电流 100 A、技术 Si、反向电压（Vr） 800 V、配置 Isolated 3-Phase Bridge、正向电压（Vf） 1.2 V、最小工作温度 - 40 C。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Diode Modules