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原厂资料

6 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
PT7A7514WEX-2017Diodes Incorporated
  • PT7A7514WEX
2025-06-16查看资料
NVG800A75L4DSBonsemi
  • NVG800A75L4DSB2
2023-03-30查看资料
NVG800A75L4DSConsemi
  • NVG800A75L4DSC2
2023-03-30查看资料
PT7A7514WEDiodes Incorporated
  • PT7A7514WEX
2023-01-31查看资料
HUFA75307T3STonsemi
  • NVR5198NLT1GORFDN5632N-F085
2021-12-20查看资料
HUFA75639S3STonsemi
  • NVMFS020N10MCL
2019-07-16查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

21 个原型号
原型号

IDT71V3557SA75BQG

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 2 条候选
  • 71V3556SA166BQGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

IDT71V3577SA75BQI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • IS64LF12836EC-7.5B3LA3-TRISSI, Integrated Silicon Solution Inc相似型号
原型号

IXD3263B755MR-G

Zilog

查看详情 · 3 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • IXD3263A755MR-GZilog参数相近
原型号

IXD3264B75DER-G

Zilog

查看详情 · 3 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • IXD3263A75DER-GZilog参数相近
原型号

PT7A7533WE

Diodes Incorporated

查看详情 · 1 条候选
  • STM708TAM6FSTMicroelectronics直接替代候选
原型号

SYA75603ATWL-TRVAO

Microchip Technology

查看详情 · 3 条候选
  • SY75603ATWL-TRMicrochip Technology参数相近
原型号

SYA75608TWL-TRVAO

Microchip Technology

查看详情 · 1 条候选
  • SY75608TWL-TRMicrochip Technology参数相近
原型号

TDA7560

STMicroelectronics

查看详情 · 1 条候选
  • E-TDA7560STMicroelectronics直接替代候选
原型号

XC6121A750MR-G

Torex Semiconductor Ltd

查看详情 · 19 条候选
  • XC6121C750MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

286 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

GSA75AA120

SanRex

主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Modules、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、集电极－发射极饱和电压 3.3 V、25°C 时连续集电极电流 75 A，采用 SOT-227-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT Modules
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GWA75H65DRFB2AG

STMicroelectronics

主要参数包括认证等级 AEC-Q100、原产国家或地区 中国。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTs
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HUFA75307T3ST

ON Semiconductor / Fairchild

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 55 V，采用 SOT-223-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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HUFA75645S3S

ON Semiconductor / Fairchild

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、类型 MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V，采用 TO-263-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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IKZA75N120CH7XKSA1

Infineon Technologies

主要参数包括组装国家或地区 中国、晶圆制造国家或地区 德国、原产国家或地区 德国、商品名称 TRENCHSTOP、型号别名 IKZA75N120CH7 SP005578273。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTs
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IKZA75N65EH7XKSA1

Infineon Technologies

主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 650 V、集电极－发射极饱和电压 1.6 V、最大栅射电压 - 20 V, 20 V、25°C 时连续集电极电流 80 A，采用 TO-247-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTs
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IKZA75N65SS5XKSA1

Infineon Technologies

主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 650 V、集电极－发射极饱和电压 1.35 V、最大栅射电压 - 20 V, 20 V、25°C 时连续集电极电流 80 A。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTs
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IMZA75R008M1HXKSA1

Infineon Technologies

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 163 A，采用 TO-247-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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IMZA75R016M1HXKSA1

Infineon Technologies

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 89 A、漏源导通电阻（Rds On） 22 mOhms，采用 TO-247-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETs
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IMZA75R020M1HXKSA1

Infineon Technologies

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 75 A、漏源导通电阻（Rds On） 27 mOhms，采用 TO-247-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETs
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