原型号
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Renesas Electronics Corporation
- 7133LA20JG8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
搜索结果
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 2 条候选ALD1703PAL
Advanced Linear Devices Inc.
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- OPA705PATexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选CAT6241-ADJHU2MUTAG
onsemi
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- TPS7A7002DDARTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 11 条候选LM4819MX/NOPB
Texas Instruments
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- TPA701DTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 12 条候选LM4900M/NOPB
Texas Instruments
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- TPA701DTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 8 条候选LT1800CS5#TRM
Analog Devices Inc.
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- OPA703NA/250Texas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 8 条候选LT1800IS5#TR
Analog Devices Inc.
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- OPA703NA/250Texas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 28 条候选MC34119D
NXP USA Inc.
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- TPA701DTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 44 条候选OPA704NA/250G4
Texas Instruments
- OPA704NA/250Texas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号
查看详情 · 1 条候选SLA7075MR
Sanken Electric USA Inc.
- SLA7075MPRTSanken Electric USA Inc.第三方标注：厂商推荐
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
BA70BC0WT
ROHM Semiconductor
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 7 V、输出电流 1 A、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、极性 Positive、输入电压（最大值） 16 V，采用 TO-220-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsBD8LA700EFV-CE2
ROHM Semiconductor
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 3～5.5 V、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 500 mA、类型 Low Side、输出数 8 Output，采用 HTSSOP-B24 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Power Switch ICs - Power DistributionBGA7024,115
NXP Semiconductors
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 400 MHz to 2.7 GHz、类型 High Linearity Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 24 dBm、增益 15 dB、噪声系数（NF） 4 dB，采用 SOT-89-3 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierBGA7024,135
NXP Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.3 V, 5 V、工作频率 400 MHz to 2.7 GHz、类型 RF Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 24 dBm、增益 15 dB，采用 SOT-89-3 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierBGA7027,115
NXP Semiconductors
主要参数包括工作频率 400 MHz to 2.7 GHz、1 dB 压缩点（P1dB） 28 dBm、增益 11 dB、噪声系数（NF） 3.9 dB、输出三阶截点（OIP3） 42.5 dBm、型号别名 935289298115，采用 SOT-89-3 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierBGA7027,135
NXP Semiconductors
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 400 MHz to 2.7 GHz、类型 High Linearity Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 28 dBm、增益 11 dB、噪声系数（NF） 3.9 dB，采用 SOT-89-3 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierCA70-2
MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierCA70-3
MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierCMX90A702QHR701
CML Micro
主要参数包括工作电源电压 4 V、工作频率 26.5～29.5 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 109 mA、增益 22.5 dB，采用 VQFN-20 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierCMX90A702QHR705
CML Micro
主要参数包括工作电源电压 4 V、工作频率 26.5～29.5 GHz、技术 GaAs、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 109 mA、增益 22.5 dB，采用 VQFN-20 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier