ChipSourceHub 美芯科技

搜索结果

原厂资料

8 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
FMMTA56TADiodes Incorporated
  • MMBTA56-7-F
2021-03-15查看资料
FMMTA56TA-79Diodes Incorporated
  • MMBTA56-7-F
2021-03-15查看资料
LA5693MD-AHonsemi
  • TPS7XXX
2020-09-29查看资料
LA5693MC-AHonsemi
  • LA5693MD-AH
查看资料
OPA561Texas Instruments
  • OPA564
查看资料
SA56004AD,118NXP
  • SA56004ADP,118
查看资料
SA56004CD,118NXP
  • SA56004ADP,118
查看资料
SA56004CDP,118NXP
  • SA56004ADP,118
查看资料

第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

22 个原型号
原型号

93AA56-I/P

Microchip Technology

查看详情 · 1 条候选
  • 93AA56C-I/PMicrochip Technology相似型号
原型号

93AA56AT-I/ST

Microchip Technology

查看详情 · 1 条候选
  • 93AA56A-I/STMicrochip Technology直接替代候选
原型号

93AA56B-I/SN

Microchip Technology

查看详情 · 5 条候选
  • 93AA56BT-I/SNMicrochip Technology直接替代候选
原型号

93AA56C-I/MS

Microchip Technology

查看详情 · 3 条候选
  • 93AA56CT-I/MSMicrochip Technology直接替代候选
原型号

93C56BT-I/MS

Microchip Technology

查看详情 · 7 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 93AA56BT-I/MSMicrochip Technology相似型号
原型号

93LC56A-I/P

Microchip Technology

查看详情 · 2 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 93AA56A-I/PMicrochip Technology相似型号
原型号

93LC56A/ST

Microchip Technology

查看详情 · 3 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 93AA56A-I/STMicrochip Technology相似型号
原型号

93LC56B/ST

Microchip Technology

查看详情 · 10 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 93AA56B-I/STMicrochip Technology相似型号
原型号

AT93C56-10SI-2.7

Microchip Technology

查看详情 · 5 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 93AA56C-I/SNMicrochip Technology直接替代候选
原型号

AT93C56-10TI-2.7

Microchip Technology

查看详情 · 3 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 93AA56C-I/STMicrochip Technology直接替代候选

技术资料参考

芯片技术资料

168 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

FMMTA56TA

Diodes Incorporated

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) - 80 V、集电极-基极电压(VCBO) - 80 V、发射极-基极电压(VEBO) - 4 V、集电极-发射极饱和电压 - 0.25 V,采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
查看技术资料

HN4A56JU(TE85L,F)

Toshiba

该型号为晶体管。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
查看技术资料

IXFA56N30X3

IXYS

主要参数包括通道数 1 个通道、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 300 V、连续漏极电流(Id) 56 A、漏源导通电阻(Rds On) 27 mOhms,采用 TO-263-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
查看技术资料

IXFA56N30X3-TRL

Littelfuse

主要参数包括通道数 1 个通道、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 300 V、连续漏极电流(Id) 56 A、漏源导通电阻(Rds On) 27 mOhms、栅源电压(Vgs) - 20 V, 20 V,采用 TO-263-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
查看技术资料

IXTA56N15T

IXYS

主要参数包括技术 Si、漏源击穿电压(Vds) 150 V、连续漏极电流(Id) 56 A、漏源导通电阻(Rds On) 36 Ω、商品名称 HiPerFET、单件重量 0.056438 oz,采用 TO-263-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
查看技术资料

LA5693D-N-E

ON Semiconductor

该型号为电源管理器件。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Power Management Specialized - PMIC
查看技术资料

LA5693MD-AH

ON Semiconductor

该型号为电源管理器件,主要参数包括湿敏性 是。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Power Management Specialized - PMIC
查看技术资料

LTC1327CG#PBF

Analog Devices

该型号为接口集成电路,主要参数包括工作电源电压 3.3 V、数据速率 120 kb/s、功能 Transceiver、驱动器数 3 Driver、接收器数 5 Receiver、工作电源电流 300 uA,采用 SSOP-28 封装。

半导体 > 集成电路 > Interface ICs > RS-232 Interface IC
查看技术资料

LTC1327CG#TRPBF

Analog Devices

该型号为接口集成电路,主要参数包括高度 2 mm、耗散功率(Pd) 1.5 mW,采用 SSOP-28 封装。

半导体 > 集成电路 > Interface ICs > RS-232 Interface IC
查看技术资料

LTC1327CSW#PBF

Analog Devices

该型号为接口集成电路,主要参数包括工作电源电压 3.3 V、数据速率 120 kb/s、功能 Transceiver、驱动器数 3 Driver、接收器数 5 Receiver、工作电源电流 300 uA,采用 SO-28 封装。

半导体 > 集成电路 > Interface ICs > RS-232 Interface IC
查看技术资料