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Lattice Semiconductor Corporation
- ATF1504AS-10AU44Microchip Technology相似型号
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技术资料参考
芯片技术资料
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FMMTA56TA
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.25 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTHN4A56JU(TE85L,F)
Toshiba
该型号为晶体管。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTIXFA56N30X3
IXYS
主要参数包括通道数 1 个通道、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 300 V、连续漏极电流（Id） 56 A、漏源导通电阻（Rds On） 27 mOhms，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIXFA56N30X3-TRL
Littelfuse
主要参数包括通道数 1 个通道、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 300 V、连续漏极电流（Id） 56 A、漏源导通电阻（Rds On） 27 mOhms、栅源电压（Vgs） - 20 V, 20 V，采用 TO-263-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsIXTA56N15T
IXYS
主要参数包括技术 Si、漏源击穿电压（Vds） 150 V、连续漏极电流（Id） 56 A、漏源导通电阻（Rds On） 36 Ω、商品名称 HiPerFET、单件重量 0.056438 oz，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETLA5693D-N-E
ON Semiconductor
该型号为电源管理器件。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Power Management Specialized - PMICLA5693MD-AH
ON Semiconductor
该型号为电源管理器件，主要参数包括湿敏性 是。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Power Management Specialized - PMICLTC1327CG#PBF
Analog Devices
该型号为接口集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、数据速率 120 kb/s、功能 Transceiver、驱动器数 3 Driver、接收器数 5 Receiver、工作电源电流 300 uA，采用 SSOP-28 封装。
半导体 > 集成电路 > Interface ICs > RS-232 Interface ICLTC1327CG#TRPBF
Analog Devices
该型号为接口集成电路，主要参数包括高度 2 mm、耗散功率（Pd） 1.5 mW，采用 SSOP-28 封装。
半导体 > 集成电路 > Interface ICs > RS-232 Interface ICLTC1327CSW#PBF
Analog Devices
该型号为接口集成电路，主要参数包括工作电源电压 3.3 V、数据速率 120 kb/s、功能 Transceiver、驱动器数 3 Driver、接收器数 5 Receiver、工作电源电流 300 uA，采用 SO-28 封装。
半导体 > 集成电路 > Interface ICs > RS-232 Interface IC