原型号
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Analog Devices Inc.
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原型号
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Renesas Electronics Corporation
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated
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Analog Devices Inc./Maxim Integrated
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onsemi
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onsemi
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技术资料参考
芯片技术资料
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GTRA364002FC-V1-R2
MACOM
该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括最大工作频率 3.6 GHz、最小工作频率 3.4 GHz、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 125 V，采用 H-37248C-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 氮化镓场效应晶体管IXFA36N20X3
IXYS
主要参数包括通道数 1 个通道、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 200 V、连续漏极电流（Id） 36 A、漏源导通电阻（Rds On） 45 mOhms，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIXFA36N30P3
IXYS
主要参数包括技术 Si、商品名称 HiPerFET、单件重量 0.077603 oz，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIXFA36N55X2
IXYS
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 韩国。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsIXGA36N60A3
IXYS
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 600 V、集电极－发射极饱和电压 1.4 V、最大栅射电压 20 V、25°C 时连续集电极电流 200 A，采用 TO-263AA-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT TransistorsIXGA36N60A3-TRL
Littelfuse
主要参数包括配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 600 V、集电极－发射极饱和电压 1.4 V、25°C 时连续集电极电流 36 A、耗散功率（Pd） 220 W、最小工作温度 - 55 C，采用 TO-263-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTsIXTA36N20T
IXYS
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 200 V、连续漏极电流（Id） 36 A，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIXTA36N30P
IXYS
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 300 V、连续漏极电流（Id） 36 A，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIXTA36N30P-TRL
IXYS
主要参数包括商品名称 PolarHT。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIXTA36N30T
IXYS
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 300 V、连续漏极电流（Id） 36 A，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET