原型号
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Analog Devices Inc.
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- OPA333AMDBVREPTexas Instruments相似型号
搜索结果
第三方参考
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原型号
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Diodes Incorporated
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- XC6217A332MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
原型号
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Rohm Semiconductor
- LD29080PT33RSTMicroelectronics相似型号
原型号
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Rohm Semiconductor
- LT1963ET-3.3#06PBFAnalog Devices Inc.相似型号
原型号
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Texas Instruments
- INA332AIDGKRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号
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NXP USA Inc.
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- XC6221A332MR-GTorex Semiconductor Ltd相似型号
原型号
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Texas Instruments
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- OPA337NA/250Texas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 3 条候选LP38691DT-3.3
Texas Instruments
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- BA33BC0FP-E2Rohm Semiconductor相似型号
原型号
查看详情 · 2 条候选LP8340CDTX-3.3/NOPB
Texas Instruments
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- BA33BC0FP-E2Rohm Semiconductor相似型号
原型号
查看详情 · 14 条候选MAX4074BJEUK-T
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
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- OPA337NA/250Texas Instruments相似型号
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
BZX384-A33-QX
Nexperia
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 33 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 1 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、稳压管阻抗（Zz） 80 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX384-A33X
Nexperia
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 33 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 1 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84-A33,215
Nexperia
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 33.33 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压容差 1 %、电压温度系数 29.7 mV/K、稳压管电流 50 nA、稳压管阻抗（Zz） 80 Ω，采用 TO-236AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84-A33-QR
Nexperia
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 33 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压容差 1 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesCA33-1
MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierCDZFHT2RA33B
ROHM Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 33 V、耗散功率（Pd） 100 mW、稳压管电流 2 mA、稳压管阻抗（Zz） 250 Ω、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 SOD-923-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesCMPZDA33V TR
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括型号别名 CMPZDA33V PBFREE TR，采用 SOT-23 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesCMPZDA33V TR PBFREE
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括最大反向漏电流（Ir） 50 nA、单件重量 0.000176 oz，采用 SOT-23 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesCMSZDA33V TR
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 33 V、耗散功率（Pd） 275 mW、电压温度系数 0.09 %/C、稳压管电流 50 nA、稳压管阻抗（Zz） 80 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-323 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesCMSZDA33V TR PBFREE
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 33 V、耗散功率（Pd） 275 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、稳压管阻抗（Zz） 80 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-323 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes