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原型号	制造商	资料列出的替代型号	资料
OPA2345	Texas Instruments	OPA2310 TLV9042D	查看资料
TLV342AID	Texas Instruments	TLV342AIDR OPA2310IDR	查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

45 个原型号

原型号

DG2026DQ-T1-E3

Vishay Siliconix

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TS5A23159DGSRTexas Instruments相似型号

原型号

DG2516DQ-T1-E3

Vishay Siliconix

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TS5A23159DGSRTexas Instruments相似型号

原型号

INA231AIYFFT

Texas Instruments

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INA231AIYFFRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐

原型号

ISL28230CBZ

Renesas Electronics Corporation

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OPA2313IDRTexas Instruments相似型号

原型号

ISL28230FUZ

Renesas Electronics Corporation

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OPA2314AIDGKTexas Instruments相似型号

原型号

ISL28233FUZ-T7

Renesas Electronics Corporation

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OPA2313IDGKRTexas Instruments相似型号

原型号

ISL28268FUZ-T7

Renesas Electronics Corporation

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OPA2313IDGKRTexas Instruments相似型号

原型号

LMV822IYDT

STMicroelectronics

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OPA2314AQDRQ1Texas Instruments相似型号

原型号

MAX4075CAESA

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

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OPA2314AIDRTexas Instruments相似型号

原型号

MAX4242ESA

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

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OPA2313IDRTexas Instruments相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

102 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

PGA2311UA

Texas Instruments

主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 15.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作电源电压 4.5～15.5 V、类型 2-Channel Stereo Audio Volume Control、产品 Volume Controls，采用 SOIC-16 封装。

半导体 > 集成电路 > Audio ICs > Audio Amplifiers

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PGA2311UA/1K

Texas Instruments

主要参数包括产品 Volume Controls、总谐波失真加噪声 0.0002 %、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、描述与功能 Audio Volume Control、特性 Two Independent Audio Channels，采用 SOIC-16 封装。

半导体 > 集成电路 > Audio ICs > Audio Amplifiers

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PI5A23157UEX

Diodes Incorporated

该型号为集成电路，主要参数包括原产国家或地区中国。

半导体 > Switch ICs > Analog Switch ICs

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PI5A23157ZUAEX

Diodes Incorporated

该型号为集成电路，主要参数包括原产国家或地区中国台湾。

半导体 > Switch ICs > Analog Switch ICs

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PI5A23159UEX

Diodes Incorporated

该型号为集成电路，主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.65 V、供电类型 Single Supply、产品 Multiplexers/Demultiplexers、导通电阻（最大值） 2.8 Ω，采用 MSOP-10 封装。

半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Multiplexer Switch ICs

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QPA2310

Qorvo

主要参数包括工作频率 5～6 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifiers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区美国。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier

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QPA2310TR7

Qorvo

主要参数包括原产国家或地区美国、湿敏性是。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier

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SMA231

MACOM

RF Amplifier 10-250MHz NF 1.7dB Gain 26dB

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier

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TGA2312-FL

Qorvo

主要参数包括工作电源电压 24 V、工作频率 9～10 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 48 dBm、增益 13 dB。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier

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TS5A23157DGSR

Texas Instruments

该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 1.65～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.65 V、供电类型 Single Supply、开关数 2 Switch、配置 2 x SPDT，采用 MSOP-10 封装。

半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Analog Switch ICs

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