原型号
查看详情 · 1 条候选AT97SC3204T-U1A180
Microchip Technology
- AT97SC3204T-U2A1B-10Microchip Technology直接替代候选
搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
IXTA180N10T7-TRL
IXYS
主要参数包括商品名称 TrenchMVT。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETMBR2X050A180
GeneSiC Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR2X060A180
GeneSiC Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR2X080A180
GeneSiC Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR2X100A180
GeneSiC Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR2X120A180
GeneSiC Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMBR2X160A180
GeneSiC Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersMCNA180P2200YA
IXYS
主要参数包括电路类型 Phase Leg、通态有效值电流（It RMS） 280 A、非重复通态电流 5.4 kA、额定重复断态电压（VDRM） 2200 V、最大维持电流（Ih） 200 mA、门极触发电压（Vgt） 2 V，采用 Y4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCR ModulesMCNA180PD2200YB
IXYS
主要参数包括电路类型 Phase Leg、通态有效值电流（It RMS） 280 A、非重复通态电流 5.4 kA、额定重复断态电压（VDRM） 2200 V、最大维持电流（Ih） 200 mA、门极触发电压（Vgt） 2 V，采用 Y4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCR ModulesMSX360-1A-C0250-ERA180-05K
Amphenol Piher
该型号为传感器，主要参数包括技术 Hall Effect、输出类型 Analog - Voltage、产品 Position Sensors、最大工作温度 + 125 C、最小工作温度 - 40 C、测量对象 Linear Position。
半导体 > Sensor ICs > Board Mount Motion & Position Sensors