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原厂资料

4 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
BR281W31A101V1Gonsemi
  • B300W35A109XXG
2023-12-22查看资料
QS4A101QGRenesas
  • QS3125QG
2022-02-28查看资料
QS4A101QG8Renesas
  • QS3125QG8
2022-02-28查看资料
H3TRBonsemi
  • JEDS22A101
2020-11-13查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

9 个原型号
原型号

74AVC1T45FW5-7

Diodes Incorporated

查看详情 · 20 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • FXLA101L6Xonsemi相似型号
原型号

74AVC1T45GS,132

Nexperia USA Inc.

查看详情 · 12 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • FXLA101L6Xonsemi相似型号
原型号

74AXP1T45GXZ

Nexperia USA Inc.

查看详情 · 13 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • FXLA101L6Xonsemi相似型号
原型号

DS15BA101SD/NOPB

Texas Instruments

查看详情 · 1 条候选
  • DS15BA101SDE/NOPBTexas Instruments参数相近
原型号

DS15BA101SDE/NOPB

Texas Instruments

查看详情 · 1 条候选
  • DS15BA101SD/NOPBTexas Instruments参数相近
原型号

NTS0101GS,132

NXP USA Inc.

查看详情 · 10 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • FXLA101L6Xonsemi相似型号
原型号

PIC24F08KA101T-I/SS

Microchip Technology

查看详情 · 1 条候选
  • PIC24F08KA101-I/SSMicrochip Technology直接替代候选
原型号

QS4A101QG

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • QS3125QGRenesas Electronics Corporation第三方标注：厂商推荐
原型号

XC6603A101ER-G

Torex Semiconductor Ltd

查看详情 · 2 条候选
  • XC6604A101ER-GTorex Semiconductor Ltd参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

166 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

LDA101S

IXYS Integrated Circuits

该型号为晶体管，主要参数包括输出类型 MOSFET、商品名称 Clare。

半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers
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LDA101STR

IXYS Integrated Circuits

该型号为晶体管，主要参数包括输出类型 MOSFET、商品名称 Clare。

半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers
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MAAM-008734-0CA101

MACOM

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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MDA101G

Rectron

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 RS-1 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers
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MIXA101W1200EH

IXYS

主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 Hex、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、集电极－发射极饱和电压 1.8 V、25°C 时连续集电极电流 155 A，采用 E3-Pack 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Modules
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MMBTRA101SS

Diotec Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Single、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、连续集电极电流 100 mA、耗散功率（Pd） 200 mW、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-23 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Digital Transistors
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NVATS4A101PZT4G

ON Semiconductor

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 27 A，采用 TO-252-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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OPA1013CN8

Texas Instruments

主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 4 V、双电源电压 +/- 15 V、最大双电源电压 +/- 18 V、最小双电源电压 +/- 2 V，采用 PDIP-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Precision Amplifiers
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OPA1013CN8G4

Texas Instruments

主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 4 V、双电源电压 +/- 15 V、最大双电源电压 +/- 18 V、最小双电源电压 +/- 2 V，采用 PDIP-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Precision Amplifiers
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