MC56F8011VFAE
NXP Semiconductors
主要参数包括最大时钟频率 32 MHz、程序存储容量 12 kB、数据 RAM 容量 2 kB、ADC 分辨率 12 位、输入/输出数 26 个输入/输出、定时器/计数器数 1 个定时器,采用 QFP-32 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Digital Signal Processors & Controllers - DSP, DSC技术资料参考
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NXP Semiconductors
主要参数包括最大时钟频率 32 MHz、程序存储容量 12 kB、数据 RAM 容量 2 kB、ADC 分辨率 12 位、输入/输出数 26 个输入/输出、定时器/计数器数 1 个定时器,采用 QFP-32 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Digital Signal Processors & Controllers - DSP, DSConsemi
该型号为模数转换器(ADC),主要参数包括通道数 1 个通道、模拟电源电压 1.65~3.6 V、数字电源电压 1.65~3.6 V、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 1.65 V、接口类型 SPI,采用 X2QFN-8 封装。
半导体 > Data Converter ICs > Analog to Digital Converters - ADCIntel
该型号为集成电路,主要参数包括商品名称 FALC、型号别名 946572。
半导体 > 集成电路 > Communication & Networking ICs > Network Controller & Processor ICsROHM Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 800 V、连续漏极电流(Id) 11 A,采用 TO-220FM-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsROHM Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 800 V、连续漏极电流(Id) 11 A,采用 TO-247G-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsMicrochip Technology / Micrel
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.375 V、输出类型 ECL, LVPECL, PECL、输入线数 1 Input、输出线数 2 Output、极性 Non-Inverting,采用 MLF-16 封装。
半导体 > 集成电路 > Logic ICs > Buffers & Line DriversMicrochip Technology
主要参数包括电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.6 V、输出类型 ECL, LVPECL, PECL、输入线数 1 Input、输出线数 2 Output、极性 Non-Inverting,采用 MLF-16 封装。
半导体 > Logic ICs > Buffers & Line DriversMicrochip Technology / Micrel
主要参数包括电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.375 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、湿敏性 是、型号别名 SY58011UMG TR,采用 MLF-16 封装。
半导体 > 集成电路 > Logic ICs > Buffers & Line DriversMicrochip Technology
主要参数包括电源电压(最小值) 2.375 V、电源电压(最大值) 3.6 V、输入线数 1 Input、输出线数 2 Output、极性 Non-Inverting、工作电源电流 75 mA,采用 MLF-16 封装。
半导体 > Logic ICs > Buffers & Line DriversToshiba
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 40 V、连续漏极电流(Id) 5 A,采用 PS-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET