原型号
查看详情 · 3 条候选LD29300D2M50
STMicroelectronics
- MIC29150-5.0WUMicrochip Technology相似型号
搜索结果
原厂资料
18 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| VC-806-HDE-FAAN-212M500000 | Microchip |
| 2023-06-06 | 查看资料 |
| VCC6-LCF-212M500000 | Microchip |
| 2023-06-06 | 查看资料 |
| FM5000002 | Diodes Incorporated |
| 2023-03-30 | 查看资料 |
| FSAM50SM60A | onsemi |
| 2021-04-08 | 查看资料 |
| STK5F1U3E3D-E | onsemi |
| 2021-01-29 | 查看资料 |
| AD5161BRM50 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5161BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5173BRM50 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5173BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5243BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2012-04-19 | 查看资料 |
| LM5025DMTC/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5025DMTCX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027AMH/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027AMHX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027ASQ/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5035DMHX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5037MT/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5037MTX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 20 条候选LD2982BM50R
STMicroelectronics
- LD2980ABM50TRSTMicroelectronics参数相近
原型号
查看详情 · 24 条候选LD2985BM50R
STMicroelectronics
- LP2985IM5X-5.0/NOPBTexas Instruments直接替代候选
原型号
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Lattice Semiconductor Corporation
- LFE2M50E-6FN484CLattice Semiconductor Corporation相似型号
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Lattice Semiconductor Corporation
- LFE2M50E-7FN484CLattice Semiconductor Corporation直接替代候选
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Lattice Semiconductor Corporation
- LFE2M50SE-6FN672CLattice Semiconductor Corporation直接替代候选
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Lattice Semiconductor Corporation
- LFE2M50SE-7FN484CLattice Semiconductor Corporation相似型号
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Lattice Semiconductor Corporation
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Texas Instruments
- LM5000SD-6/NOPBTexas Instruments参数相近
原型号
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Texas Instruments
- LM5002SDX/NOPBTexas Instruments参数相近
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
PM50RG1A065
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 7-Pack、最大集电极－发射极电压（VCEO） 650 V、集电极－发射极饱和电压 1.25 V、25°C 时连续集电极电流 50 A。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesPM50RG1AP065
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesPM50RG1B065
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 7-Pack、最大集电极－发射极电压（VCEO） 650 V、集电极－发射极饱和电压 1.25 V、25°C 时连续集电极电流 50 A。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesPM50RG1B120
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、原产国家或地区 日本、最大工作温度 + 125 C、最小工作温度 - 20 C、耗散功率（Pd） 378 W。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Intelligent Power Modules - IPMsPM50RL1B060
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesPM50RL1C060
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si、产品 IGBT Silicon Modules、配置 7-Pack、最大集电极－发射极电压（VCEO） 600 V、集电极－发射极饱和电压 1.75 V、25°C 时连续集电极电流 50 A。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesPM50RLB060
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesPM50RLB120
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesPRM48BF480M500A00
Vicor
该型号为开关稳压器，主要参数包括输出电压 48 V、输出电流 10.42 A、开关频率 1.03 MHz、类型 High Efficiency Converter、输出数 1 Output、输入电压（最大值） 55 V。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Voltage RegulatorsPRM48BT480M500A00
Vicor
该型号为开关稳压器，主要参数包括输出电压 48 V、输出电流 10.42 A、开关频率 1.03 MHz、类型 High Efficiency Converter、输出数 1 Output、输入电压（最大值） 55 V。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Voltage Regulators