24AA64FT-I/ST
Microchip Technology
- 24AA64F-I/STMicrochip Technology直接替代候选
来源:第三方数据源非原厂公告
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技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
NXP Semiconductors
该型号为16 位微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 25 MHz、程序存储容量 64 kB、数据 RAM 容量 4 kB、ADC 分辨率 12 位、输入/输出数 40 个输入/输出、ADC 通道数 12 个通道,采用 LQFP-48 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 16-bit Microcontrollers - MCUNXP / Freescale
该型号为16 位微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 25 MHz、程序存储容量 64 kB、数据 RAM 容量 4 kB、ADC 分辨率 12 位、输入/输出数 40 个输入/输出、ADC 通道数 12 个通道,采用 LQFP-48 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 16-bit Microcontrollers - MCUNXP Semiconductors
该型号为16 位微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 25 MHz、程序存储容量 64 kB、数据 RAM 容量 4 kB、ADC 分辨率 12 位、输入/输出数 40 个输入/输出、ADC 通道数 12 个通道,采用 LQFP-48 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 16-bit Microcontrollers - MCUVishay / Siliconix
主要参数包括技术 Si、商品名称 TrenchFET, PowerPAK,采用 PowerPAK-SO-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETVishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 30 V、连续漏极电流(Id) 60 A、漏源导通电阻(Rds On) 1.8 mOhms,采用 PowerPAK-SO-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETMACOM
RF Amplifier 10-1200MHz NF 3.0dB Gain 26.0dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierON Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington Transistorsonsemi
该型号为晶体管,主要参数包括认证等级 AEC-Q100、原产国家或地区 中国,采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Darlington TransistorsVishay
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 60 V、连续漏极电流(Id) 15 A,采用 SO-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsVishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 60 V、连续漏极电流(Id) 15 A、漏源导通电阻(Rds On) 25.9 mOhms,采用 PowerPAK-SO-8L-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET