LD29300D2M50
STMicroelectronics
- MIC29150-5.0WUMicrochip Technology相似型号
18 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| VC-806-HDE-FAAN-212M500000 | Microchip |
| 2023-06-06 | 查看资料 |
| VCC6-LCF-212M500000 | Microchip |
| 2023-06-06 | 查看资料 |
| FM5000002 | Diodes Incorporated |
| 2023-03-30 | 查看资料 |
| FSAM50SM60A | onsemi |
| 2021-04-08 | 查看资料 |
| STK5F1U3E3D-E | onsemi |
| 2021-01-29 | 查看资料 |
| AD5161BRM50 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5161BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5173BRM50 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5173BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| AD5243BRM50-RL7 | Analog Devices |
| 2012-04-19 | 查看资料 |
| LM5025DMTC/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5025DMTCX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027AMH/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027AMHX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5027ASQ/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5035DMHX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5037MT/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| LM5037MTX/NOPB | Texas Instruments |
| 查看资料 |
来源:第三方数据源非原厂公告
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
Lattice Semiconductor Corporation
Lattice Semiconductor Corporation
Lattice Semiconductor Corporation
Lattice Semiconductor Corporation
Lattice Semiconductor Corporation
Texas Instruments
Texas Instruments
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Microchip Technology
主要参数包括技术 碳化硅(SiC)、类型 Full Bridge SiC MOSFET Power Module、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 1.2 kV、连续漏极电流(Id) 55 A、漏源导通电阻(Rds On) 50 mOhms。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > MOSFET ModulesMicrochip Technology
该型号为半导体器件,主要参数包括技术 碳化硅(SiC)、类型 MOSFET / SiC SBD、产品 MOSFET-SiC SBD Modules。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor ModulesMicrochip Technology
该型号为半导体器件,主要参数包括技术 碳化硅(SiC)、类型 3-Phase Bridge、产品 MOSFET-SiC SBD Modules、正向电压(Vf) 1.5 V、栅源电压(Vgs) - 10 V, + 23 V、最小工作温度 - 55 C,采用 108 mm x 67.3 mm x 17.2 mm 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Discrete Semiconductor ModulesON Semiconductor
该型号为低压差线性稳压器(LDO),主要参数包括输出电压 5 V、输出电流 830 mA、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、极性 Positive、输入电压(最大值) 16 V,采用 Micro-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsON Semiconductor
主要参数包括工作电源电压 0~400 V、输出电流 50 A、产品 Brushless DC Motor Controllers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、输出数 3 Output,采用 DIP-39 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Motor / Motion / Ignition Controllers & Driversonsemi
主要参数包括技术 Si、类型 3-Phase、最大集电极-发射极电压(VCEO) 650 V、组装国家或地区 VN、晶圆制造国家或地区 韩国、原产国家或地区 VN,采用 DIP-39 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Intelligent Power Modules - IPMsonsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、类型 Intelligent Power Module、集电极-发射极饱和电压 1.65 V、25°C 时连续集电极电流 50 A、组装国家或地区 VN,采用 DIP-39 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Intelligent Power Modules - IPMsonsemi
主要参数包括技术 Si、类型 3-Phase IGBT Inverter、最大集电极-发射极电压(VCEO) 650 V、集电极-发射极饱和电压 650 V、25°C 时连续集电极电流 50 A、原产国家或地区 VN,采用 DIP-39 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Intelligent Power Modules - IPMsON Semiconductor
主要参数包括工作电源电压 0~400 V、输出电流 50 A、产品 Brushless DC Motor Controllers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、输出数 3 Output,采用 DIP-39 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Motor / Motion / Ignition Controllers & Driversonsemi
主要参数包括技术 Si、类型 3-Phase、最大集电极-发射极电压(VCEO) 650 V、组装国家或地区 VN、晶圆制造国家或地区 韩国、原产国家或地区 VN,采用 DIP-39 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Intelligent Power Modules - IPMs