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原厂资料

13 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
71V67903S80PFGRenesas
  • 71V67903S80BG
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFG8Renesas
  • 71V67903S80BG8
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFGIRenesas
  • 71V67903S80BQI
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFGI8Renesas
  • 71V67903S80BQI8
2022-02-28查看资料
ADXRS300WABGZA-RLAnalog Devices
  • ADXRS800WBRGZ-RL
2018-02-23查看资料
42019293Infineon
  • S29GL064S80DHB020
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7GA6Y0020Infineon
  • S29GL064S80TFB040
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A2C00045435AInfineon
  • S29GL064S80BHB043
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A2C00045440AInfineon
  • S29GL064S80BHB043
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FSS804-TL-Eonsemi
  • NTMS4802N
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MPS8098Gonsemi
  • MPS8099G
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MPS8099RLRMGonsemi
  • MPS8099RLRAG
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STPS1045HRSTMicroelectronics
  • STPS80A45CHR
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

49 个原型号
原型号

71V2546S100PFG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V2546S133PFG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V2556S100PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V2556S166PFG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V25761S183PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V3557S80PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V2556S150PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V35761S166BG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V35761S166PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V35761S183BGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V3577S75BGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

649 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

UES806

Microchip / Microsemi

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 400 V、正向电流（If） 0.5 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.25 V、最大浪涌电流 600 A，采用 DO-5 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
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UES806

Microchip Technology

主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 400 V、正向电流（If） 500 mA、配置 Single、正向电压（Vf） 1.25 V、最大浪涌电流 600 A，采用 DO-5 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
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UES806HR2

Microchip / Microsemi

主要参数包括产品 Rectifiers，采用 DO-5-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
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UES806HR2

Microchip Technology

主要参数包括产品 Rectifiers，采用 DO-5-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
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UES806R

Microchip / Microsemi

主要参数包括产品 Rectifiers，采用 DO-5-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
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UES806R

Microchip Technology

主要参数包括产品 Rectifiers，采用 DO-5-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers
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WN3S80170CWTQ

WeEn Semiconductors

该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 中国、型号别名 934074090127。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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XC25BS8023MR-G

Torex Semiconductor

主要参数包括工作电源电压 2.5～5.5 V、最大输入频率 36 MHz、最大输出频率 100 MHz、类型 Clock Generators、输出数 1 Output、占空比（最大值） 55 %，采用 SOT-26W-6 封装。

半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Generators & Support Products
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XC25BS8026ER-G

Torex Semiconductor

主要参数包括工作电源电压 2.5～5.5 V、最大输入频率 96 kHz、最大输出频率 100 MHz、类型 Clock Generators、输出数 1 Output、占空比（最大值） 55 %，采用 USP-6C 封装。

半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Generators & Support Products
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XC25BS8026MR-G

Torex Semiconductor

主要参数包括工作电源电压 2.5～5.5 V、最大输入频率 96 kHz、最大输出频率 100 MHz、类型 Clock Generators、输出数 1 Output、占空比（最大值） 55 %，采用 SOT-26W-6 封装。

半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Generators & Support Products
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