ADM5170JP
Analog Devices Inc.
- ADM5170APZAnalog Devices Inc.相似型号
10 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| LV5725JA-AH | onsemi |
| 2020-09-29 | 查看资料 |
| LV5725JAZ-AH | onsemi |
| 2020-09-29 | 查看资料 |
| ADM5170AP | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| ADM5170JP | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| ADM5170JP-REEL | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| ECH8620-TL-E | onsemi |
| 查看资料 | |
| FW360-TL-E | onsemi |
| 查看资料 | |
| PCM1718 | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| PCM1728 | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| PCM1740 | Texas Instruments |
| 查看资料 |
来源:第三方数据源非原厂公告
Analog Devices Inc.
Renesas Electronics Corporation
Infineon Technologies
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Texas Instruments
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Texas Instruments
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Texas Instruments
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Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
NXP Semiconductors
该型号为8 位微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 8 MHz、程序存储容量 16 kB、数据 RAM 容量 512 B、定时器/计数器数 2 个定时器、接口类型 SPI、程序存储器类型 Flash,采用 LQFP-32 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 8-bit Microcontrollers - MCUROHM Semiconductor
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel、晶体管极性 N-Channel, P-Channel、漏源击穿电压(Vds) 100 V、连续漏极电流(Id) 3 A, 2.5 A,采用 SOP-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETDiotec Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压(Vr) 1.3 kV、正向电流(If) 1 A、配置 Single、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 40 A,采用 DO-213AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersDiotec Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压(Vr) 1.6 kV、正向电流(If) 1 A、配置 Single、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 40 A,采用 DO-213AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersDiotec Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压(Vr) 1.8 kV、正向电流(If) 1 A、配置 Single、正向电压(Vf) 1.1 V、最大浪涌电流 40 A,采用 DO-213AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersROHM Semiconductor
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel、晶体管极性 N-Channel, P-Channel、漏源击穿电压(Vds) 100 V、连续漏极电流(Id) 3 A, 2.5 A,采用 SOP-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETROHM Semiconductor
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel、晶体管极性 N-Channel, P-Channel、漏源击穿电压(Vds) 100 V、连续漏极电流(Id) 2.5 A, 3 A,采用 SOP-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsRenesas Electronics
该型号为16 位微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 20 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 30 kB、ADC 分辨率 10 位、DAC 分辨率 8 位、输入/输出数 88 个输入/输出,采用 LQFP-100 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 16-bit Microcontrollers - MCUWinbond
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.7 V、接口类型 SPI、类型 Serial NOR Flash,采用 TFBGA-24 封装。
半导体 > Memory ICs > Multichip PackagesWinbond
主要参数包括最大时钟频率 104 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最大值) 3.6 V、电源电压(最小值) 2.7 V、接口类型 SPI、类型 Serial NOR Flash,采用 TFBGA-24 封装。
半导体 > Memory ICs > Multichip Packages