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原厂资料

28 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
FJ2500049QDiodes Incorporated
  • HX2A25015Q
2025-08-22查看资料
HX31250035Diodes Incorporated
  • HX3A25013J
2025-06-16查看资料
HX2125004QDiodes Incorporated
  • HX2A25004Q
2024-11-14查看资料
FJ2500011Diodes Incorporated
  • HX2A250003
2024-06-25查看资料
FK2500042Diodes Incorporated
  • HX3A250004
2024-06-25查看资料
FK2500054Diodes Incorporated
  • HX3A250002
2024-06-25查看资料
HX21250020Diodes Incorporated
  • HX2A250006
2024-06-25查看资料
HX3125021QDiodes Incorporated
  • HX3A25006Q
2024-06-25查看资料
HX3125025ZDiodes Incorporated
  • HX3A25005Z
2024-06-25查看资料
7130SA55CMRenesas
  • 7130LA25PFGI
2023-12-05查看资料
NLAS3899BMNTBGonsemi
  • FSA2567UMX
2023-10-02查看资料
NLAS3899BMNTWGonsemi
  • FSA2567MPX
2023-10-02查看资料
NLAS3899BMNTXGonsemi
  • FSA2567MPX
2023-10-02查看资料
71256SA25PZGRenesas
  • 71256SA20TPG
2023-05-18查看资料
71256SA25PZG8Renesas
  • 71256SA20TPG
2023-05-18查看资料
71256SA25PZGIRenesas
  • 71256SA20TPG
2023-05-18查看资料
71256SA25PZGI8Renesas
  • 71256SA20TPG
2023-05-18查看资料
71256SA25YGRenesas
  • 71256SA25PZGI
2022-02-28查看资料
71256SA25YG8Renesas
  • 71256SA25PZGI8
2022-02-28查看资料
KA258ADTFonsemi
  • LM258DR2G
2019-11-04查看资料
VS-HFA25PB60PBFVishay
  • VS-HFA25PB60-N3
2019-09-14查看资料
0W463-002-XDIonsemi
  • CAT25A256DTR
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CG9059AMInfineon
  • CY14B101LA-BA25XI
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CG9059AMTInfineon
  • CY14B101LA-BA25XIT
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CY14B101LA-SZ25XIInfineon
  • CY14B101LA-BA25XI
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CY14B101LA-SZ25XITInfineon
  • CY14B101LA-BA25XIT
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ESDA25B1STMicroelectronics
  • ESDA25SC6Y
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OPA241PATexas Instruments
  • OPA241UA/2K5
  • OPA251UA/2K5
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

128 个原型号
原型号

24AA256T/SM

Microchip Technology

查看详情 · 10 条候选
  • 24AA256/SMMicrochip Technology直接替代候选
原型号

24FC256-I/ST

Microchip Technology

查看详情 · 6 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 24AA256UID-I/STMicrochip Technology相似型号
原型号

6116LA20SOGI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 6116LA25SOGI8Renesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71256SA25YG

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 10 条候选
  • AS7C256A-10JCNAlliance Memory, Inc.相似型号
原型号

7130LA25JGI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 71342LA25PFGIRenesas Electronics Corporation第三方标注：厂商推荐
原型号

7130LA25TFI

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 7130LA25TFGIRenesas Electronics Corporation直接替代候选
原型号

7130SA35JI

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 7130LA25JGIRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

7130SA55JI

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 7130LA25JGIRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

7130SA55PFI8

Renesas Electronics Corporation

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 7130LA25PFGI8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

71321LA25PFI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 71321LA25PFGI8Renesas Electronics Corporation直接替代候选

技术资料参考

芯片技术资料

960 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

R7S921051VCBG#AC0

Renesas Electronics

该型号为微处理器（MPU），主要参数包括最大时钟频率 528 MHz、数据 RAM 容量 4096 kB、输入／输出数 115 个输入／输出、定时器／计数器数 8 x 16 bit, 9 x 32 bit、工作电源电压 1.2 V, 3.3 V、接口类型 CAN, CSI, Ethernet, I2C, LVDS, Serial, SPI, USB，采用 LFBGA-256 封装。

半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microprocessors - MPU
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R7S921051VCBG#BC0

Renesas Electronics

该型号为微处理器（MPU），主要参数包括最大时钟频率 528 MHz、数据 RAM 容量 4096 kB、输入／输出数 115 个输入／输出、工作电源电压 1.2 V、接口类型 CAN, CSI, Ethernet, I2C, LVDS, Serial, SPI, USB、指令类型 Floating Point，采用 LFBGA-256 封装。

半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microprocessors - MPU
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R7S921056VCBG#AC0

Renesas Electronics

该型号为微处理器（MPU），主要参数包括最大时钟频率 528 MHz、数据 RAM 容量 4096 kB、输入／输出数 115 个输入／输出、工作电源电压 1.2 V、接口类型 CAN, CSI, Ethernet, I2C, LVDS, Serial, SPI, USB、指令类型 Floating Point，采用 LFBGA-256 封装。

半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microprocessors - MPU
查看技术资料

R7S921056VCBG#BC0

Renesas Electronics

该型号为微处理器（MPU），主要参数包括最大时钟频率 528 MHz、数据 RAM 容量 4096 kB、输入／输出数 115 个输入／输出、工作电源电压 1.2 V、接口类型 CAN, CSI, Ethernet, I2C, LVDS, Serial, SPI, USB、指令类型 Floating Point，采用 LFBGA-256 封装。

半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microprocessors - MPU
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RBA250N04AHPF-4UA01#GB0

Renesas Electronics

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 250 A，采用 TO-263-7 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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RBA250N10CHPF-4UA02#GB0

Renesas Electronics

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 250 A，采用 TO-263-7 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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RFSA2534TR7

Qorvo

该型号为衰减器，主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 2.7～5.5 V、最大频率 4000 MHz、最小频率 50 MHz、技术 硅、类型 数字步进衰减器，采用 QFN-24 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > 衰减器
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S-1002CA25I-M5T1U

ABLIC

主要参数包括电源电压（最大值） 10 V、电源电压（最小值） 0.95 V、类型 Voltage Detectors、输出类型 Active Low, CMOS、阈值电压 2.5 V、监控输入数 1 Input，采用 SOT-23-5 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits
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S-1003CA25I-I6T1U

ABLIC

主要参数包括类型 Voltage Detectors，采用 SNT-6A-6 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits
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S-1003CA25I-M5T1U

ABLIC

主要参数包括类型 Voltage Detectors、单件重量 0.003951 oz，采用 SOT-23-5 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits
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